중공사막 지지체에 계면중합반응을 통해 막을 형성하여 복합막을 제조하였으며 복합막의 성능평가를 위해 코팅용액의 농도, 코팅시간 및 건조온도 등을 변화시켜 실험을 수행하였다. PART 1 실험에서는 PVAm과 -NH 작용기를 갖는 수용상의 PEI, -COCl작용기를 갖는 유기상의 Trimesoyl chloride 사이의 계면중합 반응을 통해 복합막을 제조하였다. PART 2 실험에서는 PEI를 piperazine(PIP)으로 대체하여 계면중합반응을 하였다. PART 1에서는 PVAm 10,000ppm과 PEI 4,000ppm을 혼합하였을 때 투과도와 배제율 측면에서 가장 좋은 결과를 보였으며 PART 2에서는 PVAm과 PIP의 농도가 높아짐에 따라 투과도는 감소하고 배제율은 증가하는 결과를 얻었다.

삼채의 잎과 뿌리로부터 휘발성 화합물과 아미노산을 분석하였다. 휘발성 향기성분은 Headspace GC-MS방법으로 분석하였다. 잎 조직으로부터 18종의 휘발성화합물이 검출되었고, 21종의 화합물은 뿌리조직으로부터 분석되었다. 주요 향기성분은 diallyl disulphide였고, 잎(27.9%)과 뿌리(17.41)에서 가장 많이 함유하고 있었다. 또 다른 주요 황화합물은 methyl 2-propenyl disulfide, dimethyl disulfide, methyl 1-propenyl disulfide과 methyl 2-propenyl trisulfide이 잎과 뿌리에 모두 함유하고 있었다. 전체 46종 화합물 중 가장 많이 함유하고 있는 물질군은 황화합물이었다. 황화합물은 엽조직에 6종, 뿌리조직에는 5종이 함유되어 있었다. 또한 유리아미노산과 polyphenol성 화합물은 잎과 뿌리 조직에서 분석하였다. 잎과 뿌리 조직에서 아미노산은 20종과 19종이 각각 검출되었다. 총아미노산의 함량은 잎에서 0.134 mg/g, 뿌리조직에서 0.105 mg/g 함유하고 있었다. 총 polyphenol성 화합물 함량은 잎에서 0.28 mg/g, 뿌리에서 1.08 mg/g 함유하고 있었다. 이 결과는 삼채의 이용과 효율적인 재배에 기초자료를 제공할 수 있다.

We present the detection characteristics of nitrogen monoxide(NO) gas using p-type copper oxide(CuO) thin film gas sensors. The CuO thin films were fabricated on glass substrates by a sol-gel spin coating method using copper acetate hydrate and diethanolamine as precursors. Structural characterizations revealed that we prepared the pure CuO thin films having a monoclinic crystalline structure without any obvious formation of secondary phase. It was found from the NO gas sensin measurements that the p-type CuO thin film gas sensors exhibited a maximum sensitivity to NO gas in dry air at an operating temperature as low as 100 oC. Additionally, these CuO thin film gas sensors were found to show reversible and reliable electrical response to NO gas in a range of operating temperatures from 60 oC to 200 oC. It is supposed from these results that the ptype oxide semiconductor CuO thin film could have significant potential for use in future gas sensors and other oxide electronics applications using oxide p-n heterojunction structures.

우리 헌법상 국가구조원리로서 일반적으로 받아들여지고 있는 것으로는 민주주의원리, 법치주의 원리, 사회국가원리 등이 있다. 이 글은 이러한 헌법상 국가구조원리를 기반으로 현재 IT영역에 있어서 조직설계의 한계를 분석하고 개선방안을 제시하고자 하였다. IT의 속성상 IT정책영역은 그 업무의 경계가 불분명하며 타 업무와의 중복 및 이로 인한 갈등 상황이 항상 내재되어 있다. 또한 IT정책은 본질적으로 ‘속도’, ‘변화’ 및 ‘공격’에 따른 ‘위험성’을 내포하고 있으므로 이러한 위험성을 낮추기 위해서는 전문적 변화관리와 위험관리가 필요하다. 우리나라의 IT 거버넌스는 지금까지 이러한 IT의 속성을 조직설계에 반영함에 있어 많은 시행착오를 겪어왔다. 하위법령에 의한 중요 추진조직의 신설, 조정 및 협업·협치 메커니즘의 부재 등 민주주의와 법치주의에 기반 한 조직설계가 이루어지지 못했다. 이러한 한계를 극복하기 위하여 우선 법치주의 원리의 구현으로 IT영역의 독자성 확보를 위한 조직법적 기틀이 확립되어야 한다. 「정부조직법」에 IT전담기관의 설치가 명확히 규정되어져야 하며, 기존의 산업통상자원부, 문화체육관광부, 방송통신위원회가 담당하는 IT기능이 재통합될 필요가 있다. 또한 독임제 방식의 단독 행정기관의 설치만으로는 IT의 융합·접목적 속성을 반영할 수 없으므로 민관협력·갈등조정체계를 법률에 규정하여야 한다. 이러한 기구는 한시적·일회성 정책기구가 아니라 상설기구로서 조정·협력의 거버넌스를 통한 민주주의 원리를 반영할 필요가 있다. 그리고 부처 간 갈등 해결이나 협력기조가 이러한 협의체를 통해 이루어질 수 있어야 한다. 한편 언론의 자유라는 민주헌정체제의 핵심적 자유를 보장하기 위하여 방송통신위원회는 독임제적 기구의 성격이 탈피된 독립성이 우선인 기구로 재탄생할 필요가 있다. 또한 ‘행정조직 법정주의’의 실천으로서 대통령 비서실, 대통령 직속기관, 합의제 행정위원회에 의한 정책기능의 확대는 지양되어야 하며, 가급적 행정각부 상호간의 기능 재배분이나 통합, 폐지와 같은 조직개편을 통해서 정책이 기획, 집행되어야 할 것이다.

정신병리적 이상증상을 가진 성폭력범죄자에 대한 교정에서 기존의 많은 연구들은 치료의 개념을 중심에 놓아야 할 필요성을 주장하였고, 이에 정신성적 장애자에 대한 치료감호의 확대, 모든 성폭력범죄자에 대한 필요적 치료프로그램의 이수 등 치료의 개념을 확대도입하는 사법제도의 변화가 있어왔다. 그러나 치료를 위한 시스템과 처벌을 위한 시스템은 그 성질과 구조가 다를 수밖에 없고 그러한 점에서 현행 형사사법시스템은 치료의 효과를 충분히 담보하기에는 미흡하거나 적절치 않은 점이 있다. 그런데 성폭력범죄자에 대한 바람직한 교정처우의 내용이 치료라는 결론에 동의할 수 있다면, 보다 효과적인 치료가 이루어질 수 있도록 성폭력범죄자에 대한 형사사법과 교정의 새로운 이념을 받아들이고 그에 맞추어 시스템을 정비하기 위한 연구와 검토가 필요하다고 할 것이다. 이 글은 이러한 문제의식에 따라 성폭력범죄자에 대한 형사사법절차의 목적으로 치료의 개념을 전면적으로 도입하기 위한 소위 ‘치료적 사법’이념에 대하여 검토하여 보고, 이러한 이념에 따라 성폭력범죄자에 대한 교정단계에서 효과적인 치료처우가 이루어질 수 있도록 하기 위한 제도적 개선방안에 대한 제안을 하였다. 그 제안의 주된 내용은 현재의 형식적인 치료처분 선고와 운영방식을 개선하는 것과 치료의 경과에 따른 사후적 처분이 가능하도록 새로운 제도를 마련하는 것이다. 구체적으로 성폭력치료프로그램의 이수명령을 부과하는 경우 이수시간을 정하지 않거나 부정기형 방식으로 선고하는 방식으로의 개선을 검토해야 하며, 형기가 만료되었으나 재범의 위험성이 있는 성폭력 범죄자에 대한 사회적 치료를 실시하는 특별보호관찰제도의 시행을 제안한다.

본 연구에서는 flake type hybrid silver powder와 poxy type hybrid binder로 그라비어 오프셋 인쇄용 실버 페이스트를 제조하였다. 제조된 실버 페이스트로 그라비어 오프셋인쇄법을 이용하여 30/30㎛(line/space) 를 연속적으로 300장 인쇄가 가능했다. 130℃에서 20분 동안 오븐에서 경화시켰을 때, 선저항은 약 10.4Ω㎝, 연필경도는 4H였다. 결론적으로 본 연구의 결과는 터치 패널용 narrow bezel전극으로 사용 가능함을 알 수 있었다.

Glancing angle deposition (GLAD) is a powerful technique to control the morphology and microstructure of thin film prepared by physical vapor deposition. Chromium (Cr) thin films were deposited on a polymer substrate by a sputtering technique using GLAD. The change in thickness and Vickers microhardness for the samples was observed with a change in the glancing angle. The adhesion properties of the critical load (Lc) by a scratch tester for the samples were also measured with varying the glancing angle. The critical load, thickness and Vickers microhardness for the samples decreased with an increase in the glancing angle. However, the thickness of the Cr thin film prepared at a 90o glancing angle showed a relatively large value of 50 % compared to that of the sample prepared at 0o. The results of X-ray diffraction and scanning electron microscopy demonstrated that the effect of GLAD on the microstructure of samples prepared by sputter technique was not as remarkable as the samples prepared by evaporation technique. The relatively small change in thickness and microstructure of the Cr thin film is due to the superior step-coverage properties of the sputter technique.

(PDDA/SiO2) thin films that consisted of positively charged poly (diallyldimethylammonium chloride) (PDDA) and negatively charged SiO2 nanoparticles were fabricated on a glass substrate by an applying voltage layer-by-layer (LBL) self-assembly method. In this study, the microstructure and optical properties of the (PDDA/SiO2) thin films coated on glass substrate were measured as a function of the applied voltage on the Pt electrodes. When 1.0 V was applied to a Pt electrode in a PDDA and SiO2 solution, the thickness of the (PDDA/SiO2)10 thin film increased from 79 nm to 166 nm. The surface roughness also increased from 15.21 nm to 33.25 nm because the adsorption volume of the oppositely charged PDDA and SiO2 solution increased. Especially, when the voltage was applied to the Pt electrode in the SiO2 solution, the thickness increase of the (PDDA/SiO2) thin film was larger than that obtained when using the PDDA solution. The refractive index of the fabricated (PDDA/SiO2) thin film was ca. n = 1.31~1.32. The transmittance of the glass substrate coated by (PDDA/SiO2)6 thin film with a thickness of 106 nm increased from ca. 91.37 to 95.74% in the visible range.

Anti-reflection coating films have used to increase the transmittance of displays and enhance the efficiency of solar cells. Hydrophobic anti-reflection coating films were fabricated on a glass substrate by sol-gel method. To fabricate an anti-reflection film with a high transmittance, poly ethylene glycol (PEG) was added to tetraethyl orthosilicate (TEOS) solution. The content of PEG was changed from 1 to 4 wt% in order to control the morphology, thickness, and refractive index of the SiO2 thin films. The reflectance and transmittance of both sides of the coated thin film fabricated with PEG 4 wt% solution were 0.3% and 99.4% at 500 nm wavelength. The refractive index and thickness of the thin film were n = 1.29 and d = 105 nm. Fluoro alkyl silane (FAS) was used for hydrophobic treatment on the surface of the anti-reflection thin film. The contact angle was increased from 13.2˚ to 113.7˚ after hydrophobic treatment.

식품에 존재하는 주요 비타민 B12는 hydroxycobalamin, adenosylcobalamin, methylcobalamin이며 cyanocobalamin은 시리얼과 같은 강화식품에 사용되는 합성형이다. 비타민 B12는 식품 중에 낮은 농도로 존재하기 때문에 추출 및 농축과정이 매우 중요하다. 본 연구에서는 과자와 시리얼 같은 탄수화물 식품 중의 비타민 B12 추출을 위해 α-amylase처리와 산성조건과 cyanide 존재시 열처리, immunoaffinity column(IAC)로 농축과 세척, HPLC/DAD로 분리 검출하였다. 분석법 수행특성지표들을 측정함으로 분석법을 검증하였다. 정확성과 정밀성은 AOAC 가이드라인을 충족시켰고, LOD 0.01 μg/100g과 LOQ 0.03 μg/100 g을 얻었다. 국제정도관리 시험에서 z-score 1.4로 분석수행이 우수함을 확인하였고 QC chart를 이용한 분석품질관리로 모든 분석이 관리하에 있음을 확인하였다. 검증된 분석법으로 과자류 12종과 시리얼 11종의 비타민 B12 함량을 분석하여 각각 0.02-0.26과 0.03-2.67 μg/100 g 범위를 얻 고 이는 신뢰도높은 데이터로 식품성분표에 활용 가능할 것이며 IAC-HPLC/DAD법이 탄수화물 식품의 비타민 B12 데이터베이스 구축에 활용될 수 있을 것으로 보인다.

PTMSP[Poly(1-trimethylsilyl-1-propyne)]에 TEOS (tetraethoxysilane), TMOS (tetramethoxysilane), MTMOS (methyltrimethoxysilane), 그리고 PTMOS (phenyltrimethoxysilane)의 함량을 0, 15, 20, 30 wt%로 달리하여 졸-겔법을 이용하 여 PTMSP-silica 복합막을 제조하였다. PTMSP-silica 복합막의 알콕시실란 함량에 따른 H2, N2의 기체투과도와 N2에 대한 H2의 이상 선택도를 조사하였다. H2와 N2의 투과도는 알콕시실란 함량이 0∼20 wt% 범위에서는 증가하다가 알콕시실란 함 량이 20∼30 wt% 범위에서는 감소하였다. N2에 대한 H2의 이상 선택도는 TEOS와 PTMOS의 함량이 0∼15 wt% 범위에서 는 감소하였으며, 15∼30 wt% 범위에서는 다시 증가하였다. Robeson upper bound와 비교할 때, PTMSP-silica 복합막은 TEOS 함량이 30 wt%, MTMOS 함량이 20 wt% 그리고 PTMOS 함량이 30 wt%에서 투과도와 이상 선택도가 동시에 향상된 것으로 나타났다.

CO2 저장소의 허가가 사실상으로 전통적 유형의 계획확정인지 아니면 새로운 승인유형의 성립을 주목할 수 있는지, 또 다른 문제가 제기되고 있다. 이러한 경우 승인유형에서 카탈로그의 다양화가 요구되는 것으로 보인다. 그러나 여기에서는 아마도 이미 실현된 개발의 명백한 명명이 문제이다. 여기에서는 그런 현상을 인식하고, 표시하며 사실적인 문제상황에 상당한 체계화를 가져오는 행정법학의 급부능력이 나타난다. 향후 우리나라 CCS 관련 현행 개별법을 제정할 때에도 계획확정절차에 관한 규정을 두는 방안을 면밀히 검토할 필요가 있다. 먼저 CO2 수송관의 설치, 운영 및 본질적 변경을 하기 위해서는 개별 CCS 법에 따라 계획 확정이 필요할 것이다. 둘째로 CO2 저장소의 설치, 운영 및 중대한 변경도 마찬가지로 개별 CCS 법에 따라 계획확정을 받아야 할 것으로 본다. 물론 이와 같은 계획확정을 통해 개별 CCS 법에 따라 CO2 수송관과 저장소를 허용하는 것은 공익의 관점에서 확정되고(허가효), 다른 행정청의 허가는 필요없을 것으로 본다(집중효). 청문절차에서 무엇보다 계획에 대한 이의와 행정청의 의견을 사업시행자, 행정기관, 이해관계인과 함께 토의하는 절차는 계획의 설치와 관련하여 제기된 문제들을 이해관계인 전체가 함께 모여서 상세하게 문제들을 협의하는 절차로서, 토의과정에서 갈등을 조정되어 사후에 일어날 수 있는 분쟁을 사전에 예방할 수 있을 것으로 본다. 이것이 바로 CCS 기술의 사회적 수용성의 문제를 해결하는 실마리가 될 것이다.

지구적 문제의 해양분야 대응과 역할이 중요해지고, 해양자원과 공간에 대한 가치가 높게 평가됨에 따라 해양자료 및 정보의 통합적 생산, 관리, 활용의 중요성이 점차 증대하고 있다. 현행 국내 해양자료 및 정보의 생산 및 관리는 법제에 기반한 통합 시스템 하에 이루어 지지 못하여, 그 활용의 정도가 미약한 것으로 평가되고 있다. 본 논문에서는 국내 해양자료의 생산 및 관리체계를 분석하고 해외 사례 분석을 통해 관할해역 정보의 통합적 관리를 위한 정책개선...

스크린 인쇄 방식을 통해 Cu,Al 형광체와 BaTiO3를 혼합한 층의 무기 전계 발광소자를 제작하였다. 혼합층의 두깨는 60㎛로 제작하였다. 형광층의 비율이 유전층보다 높아질수록 발광효율은 증가하였으나. 안정성을 떨어졌다. 가장 높은 효율을 보인 비율은 형광층 3: 유전층 1의 비율이었다.

The sol-gel method was used to prepare binary metal oxide (IrO2-RuO2) pH sensor. The electrodes that mole percent compositions (mol%) of IrO2 and RuO2 were 70:30 and 30:70 were selected. The characterizations of Nernstian response over pH range, response rate, interference on alkaline metals and reproducibility were investigated. Also the electroanalytical properties of these electrodes were evaluated in comparison with a commercial glass pH electrode. The composition of IrO2:RuO2 70:30 mol% was chosen as better electrode formulation. The electrode was not susceptible to the action of interfering ions such as Li+, Na+ and K+.

AlN epilayers were grown on a c-plane sapphire substrate using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). A series of AlN epilayers were grown at 1120˚C with V/III ratios 1.5, 2.5 and 3.5, and the influence of V/III ratio on their properties was investigated. As the V/III ratio was increased, the surface roughness (RMS roughness), Raman shift of E2 high peaks and full-width at half-maximum (FWHM) of symmetrical (002) & asymmetrical (102) of the AlN epilayers increased. However, the intensities of the Raman E2 high peaks were reduced. This indicates that the crystal quality of the grown AlN epilayers was degraded by activation of the parasitic reaction as the V/III ratio was increased. Smooth surface, stress free and high crystal quality AlN epilayers were obtained at the V/III ratio of 1.5. The crystal quality of AlNepilayers is worsened by the promotion of three-dimensional (3D) growth mode when the flow of NH3 is high.

A stoichiometric mixture of evaporating materials for ZnAl2Se4 single-crystal thin films was prepared in a horizontalelectric furnace. These ZnAl2Se4 polycrystals had a defect chalcopyrite structure, and its lattice constants were a0=5.5563Åand c0=10.8897Å.To obtain a single-crystal thin film, mixed ZnAl2Se4 crystal was deposited on the thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by a hot wall epitaxy (HWE) system. The source and the substrate temperatures were 620oCand 400oC, respectively. The crystalline structure of the single-crystal thin film was investigated by using a double crystal X-ray rocking curve and X-ray diffraction ω-2θ scans. The carrier density and mobility of the ZnAl2Se4 single-crystal thin filmwere 8.23×1016cm−3 and 287m2/vs at 293K, respectively. To identify the band gap energy, the optical absorption spectra ofthe ZnAl2Se4 single-crystal thin film was investigated in the temperature region of 10-293K. The temperature dependence ofthe direct optical energy gap is well presented by Varshni's relation: Eg(T)=Eg(0)−(αT2/T+β). The constants of Varshni'sequation had the values of Eg(0)=3.5269eV, α=2.03×10−3eV/K and β=501.9K for the ZnAl2Se4 single-crystal thin film.The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the ZnAl2Se4 were estimated to be 109.5meVand 124.6meV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicatethat splitting of the ∆so definitely exists in the Γ5 states of the valence band of the ZnAl2Se4/GaAs epilayer. The threephotocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the A1-, B1-exciton for n=1 and C21-exciton peaks for n=21.