부부강간에 관해 종래 학설은 긍정과 부정하는 견해로 대립하여 왔다. 2013년 5월, 대법원은 40년 이상 유지해 온 입장을 변경하여 부부강간을 인정하는 판결을 내렸다. 이러한 판례와 법해석의 변화의 이면에는 시민의 성에 관한 법인식과 패러다임의 요청 등 다양한 원인을 내포하고 있을 것으로 판단된다. 부부사이의 강간죄는 궁극적으로 성(性)이라는 차이에서 연유하는 것이며 이는 곧 부부의 특수성으로 이어지게 된다. 따라서 이 글에서는 부부강간을 바라보는 기존의 입장을 정리하고, 지금까지 판례가 어떠한 법해석의 변화를 거쳐 왔는지를 살펴보기로 한다. 이번 판결은 부부간의 성적 자기결정권에 따른 어떠한 폭력에 의한 강제력의 행사는 규범적 차원에서 받아들여질 수 없다는 사실을 다시 확인한 사례라고 할 수 있을 것이다. 반면 부부라는 특수한 관계로 인하여 국가형벌권이 적극적 관여 자체가 일정한 문제들을 생겨나게 할 가능성도 없지 않다. 강간죄의 객체가 부녀에서 사람으로 변경되었으므로 앞으로 해석상의 문제는 어려움이 없어 보이기는 하지만, 여전히 대법원의 반대의견처럼 우려의 목소리도 남아있는 실정이다. 따라서 부부강간에 관한 학설대립 및 법해석의 변화를 살펴봄과 동시에 강간죄의 객체 및 보호법익의 문제 및 처벌의 문제 등 남아있는 문제를 생각해 보고자 한다.

본 연구에서 인공 분기공을 이용해 Giggenbach bottle 법의 적정성을 평가하고, 관련된 전처리 및 분석기술을 확립했다. 인공 분기공은 CO2, CO, H2S, SO2, H2, CH4, HCl, HF, N2의 조합으로 이루어졌고, 각 성분의 유속을 조절해 다양한 조성을 지닌 분기공 가스를 만들었다. 분기공 가스는 NaOH 포집용액이 담긴 병을 사용해 채취했다. CO, H2, CH4의 비용존 가스는 채취병의 빈 공간에 축적되고, CO2, SO2, HCl, HF의 산성가스는 포집용액에 용해된다. H2S 는 다른 산성가스처럼 포집용액에 용해되나, 카드뮴 아세테이트를 첨가한 경우 Cd2+와 반응해 CdS로 침전된다. 비용존 가스는 가스 크로마토그래피를 사용해 분석했다. 한편 포집용액에 생긴 CdS 침전물은 여과장치를 사용해 수용액과 분리시킨 후, H2O2 수용액과 반응시켜 CdS 침전물에 결합되어 있는 황화염을 황산염으로 산화시켰다. 또한 침전물이 분리된 포집용액에 H2O2 용액을 넣어 아황산염을 황산염으로 산화시켰다. 이런 전처리를 거친 시료는 이온 크로마토그래피를 사용해 분석했다. 포집용액에 용존된 CO2는 전처리 없이 총유기-무기탄소분석기를 사용해 측정했다. 측정된 화산가스의 농도는 인공 분기공에서 설정된 유속과 비례했고, 이는 Giggenbach bottle 법이 화산가스 관측에 유용하게 적용될 수 있음을 나타낸다. 또한 본 연구에서 제시된 전처리 및 분석법은 화산가스 측정의 정확도 및 재현성을 향상시킬 것으로 기대된다.

예쁜꼬마선충은 흙속에서 살아가는 선충류로서, 성충의 크기는 약 1mm이고 비 교적 단순한 형태를 지닌 다세포생물로 주변 환경에 따라 기어가는 행동과 유영하 는 행동을 보인다. 본 연구에서는 예쁜꼬마선충의 유영하는 행동패턴을 구현하기 위하여 잠입경계(IB)법을 이용하여 비압축성 나비어-스톡스 방정식에 기반한 이 차원 모델을 수립하였다. IB방법은 1972년 C. S. Peskin(뉴욕대학교)이 심장 안의 혈류에 대한 모델링과 시뮬레이션을 하면서 처음 개발한 것으로, 근래에 점성이 있 는 비압축성 유체가 경계구조와의 상호작용에 의해 생기는 문제들을 다루기 위해 서 공학, 생리학, 의학 등의 여러 학문에서 많이 쓰이고 있는 방법이다. IB 방법의 장 점은 주어진 구조에서 생기는 경계조건을 이용하여 움직이는 경계 구조 문제를 해 결하던 방법들과는 달리 이산화 된 디락-델타 함수를 사용하여 구조의 경계조건 없 이 움직이는 경계 구조 문제를 다룰 수 있다는 장점이 있다. 예쁜꼬마선충의 이차원 모델은 등(dorsal)/배(ventral)를 나타내는 얇은 곡선 형태로 구현되었고 각각의 곡 선을 이루고 있는 점들 사이를 훅의 법칙에 기인한 스프링 형태로 연결하여 경계에 탄성력을 부과하였다. 또한 각각의 스프링을 수동적인 성분과 능동적인 성분의 두 가지 형태로 구분하였고, 능동적인 성분의 길이변화에 의해 등/배 근육의 수축성을 부과하였다. 본 연구를 통해 위와 같이 구성된 모델에 어떠한 패턴의 근육 수축을 주어야 선충모델이 전진, 후진, 그리고 코일링 형태의 유영하는 행동패턴이 구현되 는지 알아본다.

본 연구에서는 도로부문의 온실가스 감축목표를 달성하기 위하여 녹색도로 관련 법ㆍ제도 정비를 통하 여 녹색도로의 법적 개념을 정립하고, 녹색도로 건설 활성화와 녹색도로 인증제도 도입을 위한 법적 근거를 마련하였다. 녹색도로 건설 근거 및 이를 활성화시키기 위한 도로법 개정 방안으로는 도로법 제22조 (도로정비 기본계획의 수립) 2항에 녹색도로의 건설방안에 관한 조항을 신설하여 도로정비 기본계획 수립 시 녹색도로가 반영될 수 있는 근거를 마련하였고, 도로법 시행령 제10조(심의회의 기능)에 녹색도로의 건설에 관한 사항을 신설하여 도로정책심의회 시 녹색도로 건설에 관한 사항도 심의할 수 있도록 근거를 마련하였다. 신설조항으로는 도로법 제23조의3(녹색도로 노선지정)에 녹색도로에 대한 정의, 등급, 노선 지정의 내용으로 조항을 신설하여 녹색도로의 건설방안을 마련하고 도로관리청차원에서 녹색도로의 노선을 지정토록 하였다. 도로법 이외의 법으로는 저탄소녹색성장기본법에 교통시설에 대해 온실가스를 저감시킬 수 있는 근거조항을 마련하였다. 녹색도로 인증제도 시행을 위한 법제화로는 도로법에 제23조의4 (녹색도로의 인증)을 신설하여 도로부문 탄소저감을 위한 녹색도로 인증제도 실시의 근거와 녹색도로에 대한 인증 기준 및 절차, 표시활용방법, 유효기간, 인증등급의 내용으로 조항을 신설하여 녹색도로의 건설을 유도하기 위한 인증제도 시행안을 마련하였다.

Al-doped ZnO(AZO) thin films were synthesized using atomid layer deposition(ALD), which acurately controlledthe uniform film thickness of the AZO thin films. To investigate the electrical and optical properites of the AZO thin films,AZO films using ALD was controlled to be three different thicknesses (50nm, 100nm, and 150nm). The structural, chemical,electrical, and optical properties of the AZO thin films were analyzed by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy,field-emssion scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Hall measurement system, and UV-Visspectrophotometry. As the thickness of the AZO thin films increased, the crystallinity of the AZO thin films gradually increased,and the surface morphology of the AZO thin films were transformed from a porous structure to a dense structure. The averagesurface roughnesses of the samples using atomic force microscopy were ~3.01nm, ~2.89nm, and ~2.44nm, respectively. Asthe thickness of the AZO filmsincreased, the surface roughness decreased gradually. These results affect the electrical and opticalproperties of AZO thin films. Therefore, the thickest AZO thin films with 150nm exhibited excellent resistivity (~7.00×10−4Ω·cm), high transmittance (~83.2%), and the best FOM (5.71×10−3Ω−1). AZO thin films fabricated using ALD may be usedas a promising cadidate of TCO materials for optoelectronic applications.

The present work investigated the dispersion behavior of Y2O3 particles into AISI 316L SS manufactured using laser cladding technology. The starting particles were produced by high energy ball milling in 10 min for pre- alloying, which has a trapping effect and homogeneous dispersion of Y2O3 particles, followed by laser cladding using CO2 laser source. The phase and crystal structures of the cladded alloys were examined by XRD, and the cross section was characterized using SEM. The detailed microstructure was also studied through FE-TEM. The results clearly indi- cated that as the amount of Y2O3 increased, micro-sized defects consisted of coarse Y2O3 were increased. It was also revealed that homogeneously distributed spherical precipitates were amorphous silicon oxides containing yttrium. This study represents much to a new technology for the manufacture and maintenance of ODS alloys.

In order to determine the wear properties of CVD ceramic coatings, wear process was evaluated using the coated pin of Falex Tribosystem. Also, in order to determine the effects of coating material on wear process, TiC,N of thickness 5m∼6m coated by Thermal CVD method were applied. The wear property of TiC,N film, the higher the deposition temperature was, the closer the lattice parameter was to the amount of the standard power, and the grain size increased. According to the wear formation, under the control that there is on specific wear rate wear parameter and coating delamination, decrease with increasing sliding friction and when the coating delamination happened.

The ZnO thin films were grown on GaN template substrates by RF magnetron sputtering at different RF powers and n-ZnO/p-GaN heterojunction LEDs were fabricated to investigate the effect of the RF power on the characteristics of the n-ZnO/p-GaN LEDs. For the growth of the ZnO thin films, the substrate temperature was kept constant at 200˚C and the RF power was varied within the range of 200 to 500W at different growth times to deposit films of 100 nm thick. The electrical, optical and structural properties of ZnO thin films were investigated by ellipsometry, X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) and by assessing the Hall effect. The characteristics of the n-ZnO/p-GaN LEDs were evaluated by current-voltage (I-V) and electroluminescence (EL) measurements. ZnO thin films were grown with a preferred c-axis orientation along the (0002) plane. The XRD peaks shifted to low angles and the surface roughness became non-uniform with an increase in the RF power. Also, the PL emission peak was red-shifted. The carrier density and the mobility decreased with the RF power. For the n-ZnO/p-GaN LED, the forward current at 20 V decreased and the threshold voltage increased with the RF power. The EL emission peak was observed at approximately 435 nm and the luminescence intensity decreased. Consequently, the crystallinity of the ZnO thin films grown with RF sputtering powers were improved. However, excess Zn affected the structural, electrical and optical properties of the ZnO thin films when the optimal RF power was exceeded. This excess RF power will degrade the characteristics of light emitting devices.

본 연구의 목적은 소집단 활동에서 과학영재들의 의사소통 구조를 찾아보고, 이들의 의사소통 유형과 성취 수준의 관계를 알아보기 위한 것이다. 이를 위하여 과학영재들을 대상으로 5명을 한 단위로 하는 8개 소집단을 구성하고, 이들에게 지구의 밀도 구하기라는 주제로 토론식 수업을 적용하였다. Pajek과 UCINET 6.0을 활용하여 과학영재들의 대화로부터 의사소통 구조와 성취 수준을 분석하였다. 그 결과 상호작용 분산 정도에 따라 과학영재들의 의사소통 유형을 독점형과 공유형으로 분류할 수 있었다. 그리고 상호작용 밀도와 집중도에 따라 과학영재들의 의사소통 유형을 DH·NH형, DH·NL형, DL·NH형, DL·NL형으로 분류할 수 있었다. 과학영재들의 소집단 활동에서 문제 해결 성취 수준은 구성원 간 상호작용의 분산이 아니라 상호작용의 밀도와 연결망 집중도의 차에 의해 영향을 받는다는 것을 알 수 있었다. 그러므로 교사들은 소집단 활동을 활용하여 학생들을 지도할 때 문제 해결에 관련된 의사소통이 이루어지도록 지도할 필요가 있다.

The optimization of dewatering and impregnation soaking (DIS) process for a concentrated Aloe vera product was investigated using Taguchi method in combination with desirability function analysis. Polyethylene glycol (PEG) as osmotic agent was adopted, and soaking temperature (T), immersion time (t), PEG concentration (C), PEG molecular weight (MW), and thickness of Aloe vera leaf slice (x) were selected as affecting variables. L16 (45) orthogonal array was designed by Taguchi method with four parameters such as water loss, solid gain, glucomannan, and anthraquinone contents as objective functions. An overall quality index was transformed from individual objective functions, and was optimized finally. The optimal setting for maximum overall desirability was obtained at 55oC (T), 2 hr (t), 40% w/v (C), 0.5 cm (x), and 4,000 Da. (MW). The obtained overall desirability was 0.7842. The order of affecting factors was T>C>x>MW≈x>t and the experimental results under optimum condition were similar to the prediction of an overall desirability of 0.8384. Also, it was found that the optimized DIS condition could be reproduced for a minimally processed Aloe vera product with high quality.

본 연구는 RCP 4종 시나리오(RCP 2.6, RCP 4.5, RCP 6.0, RCP 8.5)를 적용하여 얻어진 2100년까지의 대기온도 상승값을 해수면 상승 계산방법 중에 하나인 반경험식법(Semi-empirical method)에 적용하여 해수면 상승치를 예측하였다. RCP 4종 시나리오에서 얻어진 결과에 따르면 모든 시나리오에서 해수면이 꾸준히 상승하고 있음을 알 수 있었다. 2050년도까지 RCP 4종 시나리오에 대한 해수면 상승의 차이가 최대 0.08 m 이내였으나 2100년도에는 최대 0.5 m까지 해수면 상승의 격차를 보이고 있었다. RCP 2.6, RCP 4.5, RCP 6.0, RCP 8.5 시나리오의 2100년도 해수면 예상 상승치는 각각 0.87 m, 1.21 m, 1.02 m, 1.36 m였다. RCP 8.5시나리오는 2060년 이후로 대기온도 상승치가 다른 시나리오에 비해 급상승하는데, 2100년 이후 다른 시나리오와의 해수면 상승 격차는 더 커질 것으로 예상된다. 단순한 비례식으로 추정하면, 2080년도에 RCP 4종 시나리오의 최대 격차가 0.21 m였으나 20년 후인 2100년에는 그 두 배가 넘는 최대 0.5 m였다. 따라서 2120년에는 그 격차가 1.2 m 이상 될 수도 있다.

(Na, K) NbO3 thick film was successfully achieved using a sol-gel coating process with the addition of polyvinylpyrrolidone (PVP) to a metal alkoxide solution. The transparent coating solution, mixed with Nb:PVP = 1:1 in a molar ration, was synthesized by evaporating the solvent to over 62.5 wt%. Additive PVP increased the viscosity of the solution so that the coating thickness could be enhanced. The thickness of the (Na, K) NbO3 film assisted by PVP was ca. 320 nm at the time of deposition; this value is four times thicker than that of the sample fabricated without PVP. Also, due to PVP binding with the OH groups of the metal alkoxide, the condensation reaction in the film was suppressed. The crystalline size of the (Na, K) NbO3 films assisted by PVP was ca. 15 nm smaller than that of the film fabricated without PVP. After the sintering process at 700˚C, the (Na, K) NbO3 films were mainly composed of randomly oriented (Na, K) NbO3 phase of perovskite crystal structure, including a somewhat secondary phase of K2Nb4O11. However, by adding PVP, the content of the secondary phase became quite smaller than that of the sample without PVP. It was thought that the addition of PVP might have the effect of restraining the loss of potassium and that PVP could hold metalloxane by strong hydrogen bonding before complete decomposition. Therefore, the film thickness of the (Na, K) NbO3 films could be considerably advanced and made more crack-free by the addition of PVP.

본 연구에서는 CVD법으로 세라믹 막을 제조하였다. 튜브의 α-Al2O3 지지체 위에 Ga 염이 첨가된 γ-Al2O3를 코팅하였고, 실란화합물인 tetramethylorthosilane (TMOS) 를 650℃에서 화학적 기상 증착법으로 막에 증착하였다. 제조된 세라믹 막을 사용하여 수소, 질소, 이산화탄소, 메탄의 단일조성 기체투과 실험을 600℃에서 시행하였다. Ga 염 비첨가 시, 600℃ 수분 처리 실험의 H2/N2 선택도가 926에서 829로 감소한 반면, Ga 염 첨가 시에는 910에서 904로 안정하였다. 이 결과를 통해, 막에 금속염을 첨가하여 제조한 막이 수분 안정성을 향상시킴을 확인하였다.

We have grown AlN nanorods and AlN films using plasma-assisted molecular beam epitaxy by changing the Al source flux. Plasma-assisted molecular beam epitaxy of AlN was performed on c-plane Al2O3 substrates with different levels of aluminum (Al) flux but with the same nitrogen flux. Growth behavior of AlN was strongly affected by Al flux, as determined by in-situ reflection high energy electron diffraction. Prior to the growth, nitridation of the Al2O3 substrate was performed and a two-dimensionally grown AlN layer was formed by the nitridation process, in which the epitaxial relationship was determined to be [11-20]AlN//[10-10]Al2O3, and [10-10]AlN//[11-20]Al2O3. In the growth of AlN films after nitridation, vertically aligned nanorod-structured AlN was grown with a growth rate of 1.6μm/h, in which the growth direction was<0001>, for low Al flux. However, with high Al flux, Al droplets with diameters of about 8μm were found, which implies an Al-rich growth environment. With moderate Al flux conditions, epitaxial AlN films were grown. Growth was maintained in two-dimensional or three-dimensional growth mode depending on the Al flux during the growth; however, final growth occurred in three-dimensional growth mode. A lowest root mean square roughness of 0.6 nm (for 2μm×2μm area) was obtained, which indicates a very flat surface.