Aligned multi-wall carbon nanotubes (MWNTs) were synthesized through the catalytic decomposition of hydrocarbons in a quartz tube reactor. In this study, we investigated the influence of gas flow rate of feedstock on the structure and growth rate of vertically aligned carbon nanotubes produced by the floating catalyst method. As the flow rate of feedstock increased, the nanotube diameter became smaller and the length became longer. Although the growth rate also increased with the raise of flow rate, the optimum flow rate of feedstock existed for the crystallinity of carbon nanotubes.

Although the structure of carbon nanotubes is important factor characterizing its properties, it is very difficult to control the structure of carbon nanotubes (MWNTs) and to predict the range of their diameter, which is the primary factor of MWNTs' physical properties. We tried to control the diameter of MWNTsby governing the feed injection temperature of floating catalyst method. The structure of MWNTs was influenced by the phase change of ferrocene fed as the catalyst,. The carbon nanotubes were very narrow at injection temperatures close to the sublimation pt. of ferrocene, in which most MWNTs had diameters in the range of 20~30 nm. At injection temperatures between the boiling pt. and melting pt. of ferrocene, the diameters became larger and had broad distribution. However, at injection temperatures higher than the boiling pt., the diameters became narrow again and had very uniform distribution.

새우양식장의 저질에서 암모니아, 황화수소가스와 같은 독성물질의 용출은 수질관리에서 매우 중요하다. 그러므로 이 연구에서는 칼럼에 저질을 주입하고 저질 개선제로 활성탄, 제올라이트, 패각 그리고 철 등을 주입하여 저질로부터 용출되는 독성물질을 중심으로 수질에 미치는 영행을 평가하였다. 암모니아 질소(NO3)는 제올라이트와 패각을 주입한 곳에서 효과적으로 제거되었다. 제올라이트는 암모늄이온(NH4+)을 이온교환으로 제거된 것으로 판단되며, 패각은 pH의 상승을 방지하여 안정하게 pH를 유지시켜 암모니아가스(NO3)의 농도를 낮게 유지하는 것으로 나타났다. 황화수소와 COD는 활성탄을 주입한 곳에서 효과적으로 제거되었으며 황화수소는 패각에서도 부분적으로 제거가 일어난 것으로 나타났다. 인은 활성탄, 패각, 철에서 잘 제거되었다. 새우 양식장에서는 특히, 주간에 플랑크톤의 광합성에서 의해서 pH가 상승하게 되며 이것은 암모니아가스의 농도가 높게 된다. 그러나 패각의 주입은 pH의 상승을 방지하여 암모니아가스의 농도가 높게 된다. 그러나 패각의 주입은 pH의 상승을 방지하여 암모니아가스의 농도를 낮게 유지할 수 있다는 것을 나타내고 있다.

본 연구는 초임전 임신항원인자로 정소상체제거 및 정관절제 수퇘지를 종부하거나 무정자 정액을 사용하였을 때 미경산돈의 번식향상 효과를 조사하기 위하여 수행하였다. 임신항원인자의 주입에 따른 번식성적을 조사하기 위하여 7∼8개월령의 교잡종 미경산돈을 160두 공시하였다. 시험돈은 4개의 시험군으로 나누었으며, 처리는 A처리구는 정소상체제거 교배, B처리구는 무정자 정액, C 처리구는 정관절제 교배, D처리구는 무처리하여 각구당 40두를 배 치 하여 완전임의배치법으로 하였다. 미경산돈의 초임시 총산자수는 A, B, C 및 D 처리구가 각각 10.05, 10.44, 11.63 및 9.97두로 가장 많은 처리구는 정관절제교배구인 C처리구였다(P<0.05). 비경산돈의 생존산자수는 총산자수와 유사하였다. 특히 C처리구는 10.70두로 9.12 및 9.11 두인 A군과 무처리보다 많았다(P<0.05). 반면 정관절제군과 무정자 처리구간에는 총산자수 및 생존산자수에서 차이가 없었다. 한편 미경돈의 혈중 progesterone 농도는 교배후 6일에서 C처리구가 다른 처리구보다 유의성 있게 높았다. 그러나 8일 이후에는 다른 처 리구보나 낮았다. 한편 혈중 cortisol농도는 처리간에 통계적인 유의성이 없었다. 이상의 시험결과를 볼 때 임신전 정관절제 수퇘지나 무정자정액을 항원으로 주입으로 미경산돈의 산자수 증가에 의한 번식효율을 증진을 확인할 수 있었다. 미경산돈의 산자수 증가를 위한 항원으로 정관절제 수퇘지나 무정자정액을 자궁에 주입하는 방법이 효과가 있다고 할 수 있다.

We investigated the effect of electron injection layer on the performance of organic light emitting devices (OLEDs). As an electron injection layer, the quinolate metal complexes were used. We optimized the device efficiency by varying the thickness of the quinolate metal complexes layer. The device with 1 nm of the quinolate metal complexes layer showed significant enhancement of the device performance and device lifetime. We also compared the effect of 8-hydroxyquinolinolatolithium (Liq) with that of bis(8-quinolinolato)-zinc (Znq2) and 8-hydroxyquinolinolatosodium (Naq) as an electron injection layer. As a result, Liq is considered as a better materials for the electron injection layer than Znq2 and Naq.

ICSI시 동결 융해한 부고환 정자의 이용 가능성을 알아보고자 난자의 배양시 체외성숙율과 활성화 처리를 한 난자와 동결 융해한 부고환 정자로 ICSI시 체외발생율을 조사하였으며, 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 난포란을 회수 후 24시간 배양하였을 때 배양 시간에 따른 GV, MI, M II로의 체외성숙율은 각각 7/60(11.7%), 5/60(8.3%), 48/60(80.0%)였고 30시간 배양 시간에 따른 GV, MI, M II로의 체외성숙율은

본 연구는 한우 체외수정란에 외래 유전자를 미세현미 주입한 후 체외 배발달을 조사하였다. DNA 미세주입은 체외수정 18~20시간 후에 DNA를 미세주입하였으며 체외 배발달율은 7일간 배양 후 조사하였다. 미세현미 주입 후 난할율은 36.3%로 대조구의 난할율 66.4% 보다 유의적으로 낮았으며(p<0.05) DNA가 주입된 수정란 중 상실배와 배반포배까지 발달율은 각각 5.6%와 1.9%로 대조구의 20.5%와 12.8%에 비하여 유의적으로 낮게 나타

고 에너지 (1.5 MeV) 이온 주입된 Boron의 농도와 silicon 기판의 초기 산소 농도의 변화에 따라 silicon기판에 형성된 결정 결함 및 금속 불순물의 Gettering 효율에 대하여 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy), SIMS(Secondary ion Mass Spectroscopy), BMD(Bulk Micro-Defect) analysis 및 TEM (Transmission Electron Microscopy)을 이용하여 연구하였다. 이온 주입 전후의 DLTS 결과를 확산로 및 RTA를 이용한 열처리 전후의 DLTS 결과와 비교할 때 이온 주입 전 시편에서 볼 수 있는 공공에 의한 깊은 준위는 열처리 온도의 증가에 따라 금속 불순물과 관련된 깊은 준위로 천이함을 알 수 있다. 또한 고온 열처리의 경우, 초기 산소 농도가 높을수록 깊은 준위의 농도가 감소함을 볼 때 초기 산소 농도가 높을 수록 gettering 효율 측면에서 유리한 것으로 사료된다

본 연구에서는 Ge PAM이 선폭 미세화에 따른 C54 실리사이드화 및 실제 CMOS 트랜지스터 접합부에서의 각종 전기적 특성에 미치는 영향을, As PAM과의 비교를 통하여 관찰하였다. 평판 상에서 각 PAM 및 기판의 도핑 상태에 따른 Rs의 변화량을 측정하였으며, 각 PAM 방식은 기존의 살리사이드 TiSi2에 비해 개선된 C54 형성 효과를 보였다. 특히, Ge PAM은 n+ 기판에서 As PAM보다 효과적인 실리사이드화를 보였고, 이 경우 XRB 상에서도 가장 강한 (040) C54 배향성을 나타내었다. ~0.25μm 선폭 및 n+ 접합층에서 기존 방식에 비해 As과 Ge PAM은 각각 ~85,66%의 개선된 바저항을 보였으며, P+ 접합층에서는 As과 Ge PAM 모두 62~63% 정도의 유사한 Rs 개선 효과를 보였다. 콘택 저항에서도 각 콘택 크기 별로 바저항(bar resistance) 개선과 같은 경향의 PAM 효과를 관찰하였으며, 모든 경우 10 Ω/ct. 이하로 양호한 결과를 보였다. 누설 전류는 area 형 패턴에서는 모든 공정 조건에서<10E-14A/μm2 이하로, edge 형에서는 특히 P+ 접합부에서 As 또는 Ge PAM 적용 시<10E-13 A/μm2 이하로 다소 누설 전류를 안정화시키는 결과를 보였다. 이러한 결과는 XTEM에 의해 관찰된 바 Ge PAM 적용 시 기존의 경우에 (PAM 적용 안한 경우) 비해 유사한 평활도의 TiSi2박막 형상과 일치하였으며, 또한 본 실험의 Ge PAM 이온주입 조건이 접합층에 손상을 주지 않는 범위에서 적정화되었음을 제시하였다