ZnO/Cu/ZnO (ZCZ) thin films were deposited at room temperature on a glass substrate using direct current (DC) and radio frequency (RF, 13.56 MHz) magnetron sputtering and then the effect of post-deposition electron irradiation on the structural, optical, electrical and transparent heater properties of the films were considered. ZCZ films that were electron beam irradiated at 500 eV showed an increase in the grain sizes of their ZnO(102) and (201) planes to 15.17 nm and 11.51 nm, respectively, from grain sizes of 13.50 nm and 10.60 nm observed in the as deposited films. In addition, the film’s optical and electrical properties also depended on the electron irradiation energies. The highest opto-electrical performance was observed in films electron irradiated at 500 eV. In a heat radiation test, when a bias voltage of 18 V was applied to the film that had been electron irradiated at 500 eV, its steady state temperature was about 90.5 °C. In a repetition test, it reached the steady state temperature within 60 s at all bias voltages.

Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard disks and optical disks, and is widely used to form coated thin films of products. In addition, resistance (electron beam filament) technology for heating is used to manufacture filament for ion implants used in semiconductor manufacturing processes. By establishing an electronic beam filament production system and developing seven specifications of electronic beam filament, it is contributing to improving trade dynamics and increasing exports to Japan through localized media of theoretical imports to domestic companies. In this study, CAE analysis was performed after setting electron beam filament specification and development objectives, facilities and fabrication for electron beam filament production, electron beam filament JIG & fixture design and fabrication followed by electron beam filament prototype. Then, the automation and complete inspection equipment of the previously developed electronic beam filament manufacturing facilities was developed and researched to mass-produce them, to analyze and modify prototypes, design and manufacture automation facilities, and finally, to design and manufacture the complete inspection equipment. In this paper, design and manufacture of electronic beam filament total inspection equipment for mass production were dealted with.

Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard disks and optical disks, and is widely used to form coated thin films of products. In addition, resistance (electron beam filament) technology for heating is used to manufacture filament for ion implants used in semiconductor manufacturing processes. By establishing an electronic beam filament production system and developing seven specifications of electronic beam filament, it is contributing to improving trade dynamics and increasing exports to Japan through localized media of theoretical imports to domestic companies. In this study, CAE analysis was performed after setting electron beam filament specification and development objectives, facilities and fabrication for electron beam filament production, electron beam filament JIG & fixture design and fabrication followed by electron beam filament prototype. Then, the automation and complete inspection equipment of the previously developed electronic beam filament manufacturing facilities was developed and researched to mass-produce them, to analyze and modify prototypes, design and manufacture automation facilities, and finally, to design and manufacture the complete inspection equipment. In this paper, analysis and modification of prototypes of electron beam filaments for mass production were dealted with.

Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard disks and optical disks, and is widely used to form coated thin films of products. In addition, resistance (electron beam filament) technology for heating is used to manufacture filament for ion implants used in semiconductor manufacturing processes. By establishing an electronic beam filament production system and developing seven specifications of electronic beam filament, it is contributing to improving trade dynamics and increasing exports to Japan through localized media of theoretical imports to domestic companies. In this study, CAE analysis was performed after setting electron beam filament specification and development objectives, facilities and fabrication for electron beam filament production, electron beam filament JIG & fixture design and fabrication followed by electron beam filament prototype. Then, the automation and complete inspection equipment of the previously developed electronic beam filament manufacturing facilities was developed and researched to mass-produce them, to analyze and modify prototypes, design and manufacture automation facilities, and finally, to design and manufacture the complete inspection equipment. In this paper, design and manufacture of electronic beam filament automation facilities for mass production were dealted with.

Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard disks and optical disks, and is widely used to form coated thin films of products. In addition, resistance (electron beam filament) technology for heating is used to manufacture filament for ion implants used in semiconductor manufacturing processes. By establishing an electronic beam filament production system and developing seven specifications of electronic beam filament, it is contributing to improving trade dynamics and increasing exports to Japan through localized media of theoretical imports to domestic companies. In this study, CAE analysis was performed after setting electron beam filament specification and development objectives, facilities and fabrication for electron beam filament production, electron beam filament JIG & fixture design and fabrication followed by electron beam filament prototype. Then, the automation and complete inspection equipment of the previously developed electronic beam filament manufacturing facilities was developed and researched to mass-produce them, to analyze and modify prototypes, design and manufacture automation facilities, and finally, to design and manufacture the complete inspection equipment. In this paper, mainly design and manufacturing of facilities for making electron beam filament were dealted with.

Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard disks and optical disks, and is widely used to form coated thin films of products. In addition, resistance (electron beam filament) technology for heating is used to manufacture filament for ion implants used in semiconductor manufacturing processes. By establishing an electronic beam filament production system and developing seven specifications of electronic beam filament, it is contributing to improving trade dynamics and increasing exports to Japan through localized media of theoretical imports to domestic companies. In this study, CAE analysis was performed after setting electron beam filament specification and development objectives, facilities and fabrication for electron beam filament production, electron beam filament JIG & fixture design and fabrication followed by electron beam filament prototype. Then, the automation and complete inspection equipment of the previously developed electronic beam filament manufacturing facilities was developed and researched to mass-produce them, to analyze and modify prototypes, design and manufacture automation facilities, and finally, to design and manufacture the complete inspection equipment. In this paper, mainly jig & fixture design, production and trial production of electron beam filament were dealted with.

Thin-film shape technology is recognized for its core technology to enhance the technology of LCD, PDP, semiconductor manufacturing processes, hard disks and optical disks, and is widely used to form coated thin films of products. In addition, resistance(electron beam filament) technology for heating is used to manufacture filament for ion implants used in semiconductor manufacturing processes. By establishing an electronic beam filament production system and developing seven specifications of electronic beam filament, it is contributing to improving trade dynamics and increasing exports to Japan through localized media of theoretical imports to domestic companies. In this study, CAE analysis was performed after setting electron beam filament specification and development objectives, facilities and fabrication for electron beam filament production, electron beam filament JIG & fixture design and fabrication followed by electron beam filament prototype. Then, the automation and complete inspection equipment of the previously developed electronic beam filament manufacturing facilities was developed and researched to mass-produce them, to analyze and modify prototypes, design and manufacture automation facilities, and finally, to design and manufacture the complete inspection equipment. In this paper, mainly electron beam filament specification analysis and development objectives and CAE analysis were dealted with.

감자뿔나방은 감자에 대한 검역 해충으로 알려져 있다. 본 연구는 전자빔 조사가 감자뿔나방의 발육 및 생식, 그리고 DNA 손상에 미치는 영향을 비교하고 억제선량을 조사하였다. 전자빔을 알(0-12시간 이내), 유충(3령과 5령), 번데기(용화 1일 이내), 그리고 성충(우화 1일 이내)에 선량을 증가시키면서 조사하였다. 전자빔 150 Gy는 알의 부화와 부화된 유충의 용화를 완전히 억제하였다. 조사된 알의 부화율은 19.3%였지만, 성충 우화는 완전히 억제되었다. 3령과 5령 유충에 100 Gy를 조사하였을 때, 성충의 우화와 생식은 완전히 억제되었다. 번데기와 성충에 각각 300 Gy와 400 Gy를 조사하였을 때, F1세대의 부화율이 억제되었다. 전자빔에 대한 감자뿔나방 성충의 DNA 손상 정도를 alkaline comet assay으로 분석하였으며, 전자빔 조사가 선량 의존적으로 감자뿔나방의 DNA 손상 정도를 증가시켰다. 이러한 결과는 감자뿔나방에 대한 식물 검역 처리법으로 전자빔 150 Gy를 권장할 수 있다. 하지만, 감자뿔나방을 방제하기 위해 전자빔을 현장에 적용하기 위해서는 추가적인 연구가 필요할 것으로 사료된다.

호박꽃과실파리(Zeugodacus scutellata)는 국내 자생종으로 국제적으로는 검역 대상 과실파리 중 하나로 분류되고 있다. 불임충방사기술 (sterile insect release technique (SIT))은 검역 대상 과실파리를 박멸하는 데 이용되어 왔다. 본 연구는 호박꽃과실파리를 대상으로 불임충 제조 기술을 개발하여 SIT 기술로 이 해충에 대한 방제 가능성을 분석하였다. 이에 앞서 먼저 형광현미경 기술로 호박꽃과실파리의 생식관련 기관을 관찰하였다. 다영양실형 난소소관을 갖는 1 쌍의 난소는 약 100 개의 난포를 발달시키며, 각 난포는 난모세포와 영양세포를 지니며 난포세포가 둘러싸는 구조를 지닌다. 난소 발육은 우화 후 10 일이 지나 발육을 시작하고 우화 후 20 일이 되면 난각을 가지고 있는 난모세포를 발달시켰다. 수컷의 경우 성숙된 정소가 우화 직후에 관찰되었으며 수정관에는 운동성이 있는 정자로 채워져 있었다. 불임 수컷을 제조하기 위해 다양한 선량(0~1,000 Gy)의 전자빔을 3~5 일 경과된 번데기에 조사하였다. 200 Gy 세기 전자빔으로 번데기에 조사하면 무처리와 차이 없이 성충으로 발육하였고 이후 정상 암컷과 교미행동을 보였다. 비록 이들 처리 수컷의 교미는 무처리 수컷과 비교하여 큰 차이 없는 산란력을 보였지만 산란된 알들은 부화하지 못했다. 다음으로 200 Gy 조사로 형성된 불임 수컷을 정상 암컷과 수컷이 함께 있는 장소에 방사하였다. 이때 불임충 수컷은 정상 수컷에 비해 9 배 많은 수로 방사하였다. 이러한 불임충 처리는 차세대 부화율을 현격하게 감소시켰다. 이상의 결과는 200 Gy 세기의 전자빔 으로 호박꽃과실파리의 불임충을 제조할 수 있고, 이렇게 형성된 불임충은 SIT 방제에 적용할 수 있다는 것을 제시하고 있다.

The effects of electron beam(EB) irradiation on the electrical and optical properties of InGaZnO(IGZO) thin films fabricated using a sol-gel process were investigated. As the EB dose increased, the electrical characteristic of the IGZO TFTs changed from semiconductor to conductor, and the threshold voltage values shifted to the negative direction. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the O 1s core level showed that the relative area of oxygen vacancies increased from 14.68 to 19.08 % as the EB dose increased from 0 to 1.5 × 1016 electrons/cm2. In addition, spectroscopic ellipsometer analysis showed that the optical band gap varied from 3.39 to 3.46 eV with increasing EB dose. From the result of band alignment, it was confirmed that the Fermi level(EF) of the sample irradiated with 1.5 × 1016 electrons/cm2 was located at the closest position to the conduction band minimum(CBM) due to the increase of electron carrier concentration

The effect of electron beam (EB) irradiation on the electrical properties of Zn-Sn-O (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process was investigated. As the EB dose increased, the saturation mobility of ZTO thin film transistors (TFTs) was found to slightly decrease, and the subthreshold swing and on/off ratio degenerated. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the O 1s core level showed that the relative area of oxygen vacancies (VO) increased from 10.35 to 12.56 % as the EB dose increased from 0 to 7.5 × 1016 electrons/cm2. Also, spectroscopic ellipsometry analysis showed that the optical band gap varied from 3.53 to 3.96 eV with increasing EB dose. From the results of the electrical property and XPS analyses of the ZTO TFTs, it was found that the electrical characteristic of the ZTO thin films changed from semiconductor to conductor with increasing EB dose. It is thought that the electrical property change is due to the formation of defect sites like oxygen vacancies.

염수전기분해(saline water electrolysis) 또는 클로로-알칼리 막공정(chlor-alkali membrane process)은 양이온교환 막과 전극으로 구성되는 전해셀에 전기를 가하여, 고순도(> 99%)의 고부가가치 화합물(예 : 염소, 수소, 수산화나트륨)을 직 접 제조하는 화학공정이다. 염수전기분해의 경제성은 동일한 양의 화합물을 생산하기 위해 투여되는 에너지 소비량을 저감 시킴으로 달성될 수 있다. 이러한 이슈는 전해질이나 전극의 고유 저항을 줄이거나, 전해질과 전극 사이의 계면 저항을 감소 시킴으로 달성시킬 수 있다. 본 연구에서는 전자빔 동시조사법을 사용하여, 높은 화학적 안정성을 지닌 탄화수소계 술폰산 이 오노머 막의 표면에 높은 이온선택성을 갖는 고분자를 접목 시키는 시도가 이루어졌다. 이를 통해, 고분자 전해질 막의 이온 전도성을 보완함과 동시에, 전극과의 계면 저항을 감소시켜, 전기화학적 효율 향상이 이루어짐을 관찰하였다.

북방수염하늘소(Monochamus saltuarius)는 솔수염하늘소(Monochamus alternatus)와 함께 소나무재선충(Bursaphelenchus xylophilus)의 매개충 중 하나이다. 소나무재선충의 방제법으로 감염목을 벌채하여 훈증을 하거나, 소각 및 파쇄, 또는 항공방제 등을 이용하여 방제하고 있으나 어려움을 겪고 있다. 따라서 본 실험에서는 전자빔을 이용하여 북방수염하늘소의 불임을 유발하는 조사선량과 조사에 적정한 충태를 알아보았다. 먼저 번데기에 전자빔을 조사했을 때, 수컷의 전기와 중기 번데기는 조사선량이 증가 할수록 우화율이 감소하는 경향이 있었으나, 후기 번데기는 우화율에 큰 영향을 주지 않았다. 그러나 후기 번데기는 고선량에서 우화한 성충 수명이 정상충에 비해 현저하게 감소하였고, 저선량에서는 우화한 성충이 완전히 불임이 되지 않았다. 따라서 번데기에 전자빔 조사는 곤충 불임화 기술을 이용한 방제에 부적합함을 알 수 있었다. 성충에 전자빔을 조사 하였을 경우에는 후숙기 초기, 중기 및 완숙기 모두 수명에 영향이 없었으며, 200 Gy 이상의 선량을 조사한 수컷과 정상 암컷간의 F1세대 부화율이 완전 억제되었다. 또한, 하늘소는 일생동안 교미를 여러 번 하므로 교차 교배 실험, 그리고 정상충과 불임충의 방사 비율에 따른 방제 적용 가능성도 검토하였다.

이온화에너지 조사는 수확후관리와 더불어 검역해충을 방제하는데 유용한 기술이다. 본 실험에서는 다양한 과수 작물에 피해를 끼치는 검역해충인 벚나무응애(Amphitetranychus viennensis Zacher)에 대한 이온화에너지 조사 효과를 조사하였다. 벚나무잎에 사육한 벚나무응애 암컷 성충(n=100/처리구)을 이용하여 감마선 (0-1000 Gy), 전자빔과 X-선 (0-1500 Gy)을 조사하였다. 벚나무응애의 생존율, 부화율, 산란율은 각 이온화에너지 처리에 따라서 차이가 나타났으며 감마선 및 X-선의 효과가 전자빔보다 높게 나타났다. 그러나 벚나무응애 성충의 생존율은 감마선 1000 Gy 처리시 18.3%, X-선 1200 Gy 처리시 10.0%로 나타났다. 이온화에너지 조사를 통하여 식물검역과정에서 벚나무응애의 소독에 적용할 수 있을 것으로 판단된다.

이온화에너지(ionizing radiation)는 최근 들어 해충 및 미생물 소독기술로 각광받는 기술로 감마선, 엑스선, 전자빔 등이 있다. 그 중 전자빔은 친환경적이며 짧은 처리시간 등의 이로운 점이 있다. 본 연구에서는 수출용 절화(장미, 국화) 박스 내 주요 해충을 대상으로 전자빔을 조사한 후 발육단계별 감수성을 평가하였다. 그 결과, 알의 부화율과 우화된 성충의 산란(산자)율은 억제하지만 유충(약충)과 성충의 acute mortality에는 영향이 없었다. 이온화에너지와 더불어 식물검역 시 많이 사용되는 훈증제인 methyl bromide (MeBr)는 오존층파괴물질로 지정되어 장기적으로 사용금지 될 전망이다. Phosphine (PH3)은 MeBr보다 해충에 대한 독성이 강하고 침투성 및 작업자의 안전성 측면에서 우수한 것으로 알려져 있다. 본 연구진은 주요 화훼해충에 대해 PH3의 감수성을 평가한 결과, 유충(약충)과 성충에 100% 방제효과 있는 농도와 처리시간이 알과 번데기에서는 효과가 미비하였다. 따라서 해충의 모든 발육단계별 완전 사멸을 위해서 이온화에너지와 훈증제를 병용 처리하여 보다 효율적인 해충방제에 주력하였다. 그 결과 전자빔을 조사한 절화박스에 PH3을 병용 처리하였을 경우, 각 처리법을 단독으로 처리한 것 보다 훨씬 효율적인 방제효과를 나타내었다.

4종 해충(복숭아혹진딧물, 점박이응애, 아메리카잎굴파리, 대만총채벌레)에 이온화에너지인 전자빔과 X-ray를 각각 조사하여 이들 해충 의 발육과 생식에 미치는 영향을 비교하여 억제선량을 결정하였다. 복숭아혹진딧물 약충에 전자빔과 X-ray 조사 시, 전자빔의 경우에는 100 Gy, X-ray의 경우에는 30 Gy에서 우화성충의 산자가 완전히 억제되었다. 복숭아혹진딧물 성충의 경우 200 Gy (전자빔)와 50 Gy (X-ray)에서 각각 F1 세대 약충의 우화가 억제되었다. 그러나 이들 두 이온화에너지 모두 성충수명에는 영향을 주지 않았다. 점박이응애의 알에서는 전자빔 150 Gy와 X-ray 50 Gy 선량에서 알의 부화가 완전히 억제되었다. 아메리카잎굴파리 번데기에서는 X-ray 조사선량이 증가할수록 우화율이 감소하 였다. 대만총채벌레 성충에 조사 시 전자빔의 250 Gy와 X-ray의 200 Gy 선량에서 F1 세대 알의 부화가 완전히 억제되었다.

4 mol% Yttria-stabilized zirconia (4YSZ) coatings with 200 μm thick are fabricated by Electron Beam Physical Vapor Deposition (EB-PVD) for thermal barrier coating (TBC). 150 μm of NiCrAlY based bond coat is prepared by conventional APS (Air Plasma Spray) method on the NiCrCoAl alloy substrate before deposition of top coating. 4 mol% YSZ top coating shows typical tetragonal phase and columnar structure due to vapor phase deposition process. The adhesion strength of coating is measured about 40 MPa. There is no delamination or cracking of coatings after thermal cyclic fatigue and shock test at 850oC.

왕담배나방은 파프리카 및 고추에 문제시 되는 해충이다. 농산물 수출입 검역 시 주로 메틸브로마이드를 훈증제로 사용하고 있으나, 메틸브로마이드의 사용이 규 제됨에 따라 대체요법이 시급한 실정이다. 국외에서는 방사선조사를 포함한 전자 빔 조사가 의료, 반도체 산업, 식품 제조업 뿐 만 아니라 농산물 검역에 널리 사용되 고 있다. 따라서 본 연구는 전자빔 선량(100, 500, 1,000, 2,000, 3,000 Gy)에 따른 왕담배나방의 발육과 산란에 미치는 영향을 조사하여, 추후 전자빔 사용에 대한 가 이드 라인을 제시하고자 하였다. 왕담배나방의 알에 전자빔 조사를 했을 경우, 전 자빔 선량이 높아질수록 부화가 억제되었다. 부화율은 100 Gy 조사 시 60.6%, 500 Gy 조사 시 2.3%였으며, 1,000 Gy 이상에서는 완전히 억제되었다. 100 Gy 조사 시 48.8%가 용화되었고, 이중 19.0%가 우화되었으나 모두 기형이었다. 왕담배나방 의 2령 유충과 5령 유충에 전자빔 조사를 했을 경우, 전자빔 선량이 높아질수록 사 충율이 증가하였고, 용화율 및 우화율이 감소되었다. 2령 유충의 경우, 100 Gy 조 사 시 57.9%가 용화되었고, 그 중 45.5%가 우화되었다. 5령 유충의 경우, 100 Gy 조사 시 40.0%가 용화, 그 중 62.5%가 우화되었다. 500 Gy 이상 조사 시 2령 및 5령 유충 모두 용화되지 못하였다. 왕담배나방의 번데기에 전자빔 조사를 했을 경우, 전자빔 선량이 높아질수록 우화가 억제되고 우화 성충의 기형율이 올라갔으며 산 란수는 감소되었다. 산란된 알의 부화는 100 및 500 Gy 조사 시 완전히 억제되었다. 2,000 Gy 이상에서 우화가 완전히 억제되었다. 왕담배나방의 성충에 전자빔 조사 를 했을 경우, 전자빔 선량이 높아질수록 성충 암컷의 산란수가 감소했다.

목 적: 중심파장이 656.3nm에서 반치폭이 약 8nm이고 투과율이 92%인 협대역 H-α imaging 필터를 설계·제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하고자 한다. 방 법: 전자빔 증착기를 이용하여 Ti3O5/SiO2 다층박막으로 656.3nm 대역투과필터와 Hb600 적외선 차단필터를 만든 후, 분광광도계로 투과율과 대역폭을 확인하였다. SEM사진을 이용하여 적외선차단필터 단면을 관찰하였고, XRD 데이터로부터 박막의 구조를 알 수 있었으며, XPS 분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결 과: 협대역 H- imaging 필터에서 대역투과필터의 최적조건은 30층, 반사방지막 코팅층은 6층, 적외선차단필터는 32층으로 설계·제작되었다. 제작된 H- imaging 필터의 최대파장피크가 이론치에 비교했을 때 약 0.7nm로 공차가 거의 없는 것을 알 수 있었다. XRD 분석으로 대역투과 필터와 반사방지막 코팅층은 비정질로, 적외선 차단 필터는 결정질으로 코팅되는 것을 확인하였다. SEM 사진에 의해 적외선 차단필터의 코팅 층을 확인하였고, XPS 분석에 의해 대역필터의 가장 바깥층이 SiO2층임을 확인할 수 있었다. 결 론: Ti3O5/SiO2 다층박막을 이용하여 30층의 대역투과 필터와 32층의 적외선차단필터를 제작하여 657nm 중심파장에서 8nm 반치폭을 가지며 투과율은 92%인 협대역 H-α imaging 필터를 제작하였으며, 제작된 필터는 설계치와 거의 비슷한 투과율과 반치폭을 가짐을 알 수 있었다.