Recently, high luminance and efficiency were realize in organic thin film electroluminescence (EL) cells with multilayer structures including an emitting layer (EML), hole transporting layer (HTL), and an electron transporting layer (ETL). In this study, Bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (Bebq2) was synthesized. PL and EL characteristics of their thin film were investigated by fabricating the devices having a structure of ITO/PVK/Bebq2/Al, ITO/PVK dispersed with TPD/Bebq2/Al. The EL color of these device was greenish and the wavelength of their EL peaks was located, respectly, at 495nm, and 492.5nm.

Ar 이온 식각법을 이용하여 (001) SrTiO3(STO) 단결정 기판 위에 200nm 높이의 계단형 모서리를 제작하였다. 계단식은 입사하는 Ar 이온 빔에 대한 Ar 이온 입사각과 마스크 회전각을 조절함으로써 38˚-70˚의 넓은 범위로 제어할 수 있었다. 초전도 YBa2Cu3O7-δ박막은 계단이 있는 STO 기판 위에 펄스레이저 증착법을 이용하여 증착하였으며, 박막의 두께는 계단 높이에 대한 박막의 두께비가 0.5-1.2가 되도록 하였다. 계단형 모서리 조셉슨 접합의 임계전류밀도와 IcRn값은 77K에서 각각 104A/cm2, 70-200μV이었다.

사진식각 공정으로 종횡비가 매우 큰 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 제작에는 압축응력에 강하고 전기적 절연체인 감광성 유리를 사용하였다. 감광성 유리는 석영기판 위에 크롬이 패턴된 마스크를 사용하여 파장이 312nm인 자외선에 노광되었다. 500˚C 이상의 열처리공정을 거친 후 초음파 분위기에서 10%의 불산용액으로 식각함으로써 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 최종 형상은 감광성 유리의 두께, 마스크 패턴, 자외선 노광조건 및 식각조건에 크게 의존하였으며, 종횡비가 30이상인 스트라이프 구조의 유리 미세구조물을 제작할 수 있었다.

In this study, organic electroluminescent devices(OELD) with a structure of a glass substrate/ITO/TPD/Tb(ACAC)3(Phen-Cl)/Alq3/Al was fabricated by vacuum evaporation method, where Tb complex was known to have green light emitting property. Electroluminescent(EL) and I-V characteristics of this structure were investigated. This triple-layer structure shows the green EL spectrum at the wavelwngth of 546nm, which is almost the same as the PL spectrum of Pb(ACAC)3(PhenCl). It was found in current-voltage(I-V) characteristics of the devices that the operating voltage was about 12V.

Displacement current measuring technique has been applied on the study of monolayers of functional polyimide containing azobenzene derivatives. The displacement current was generated from monolayers on the water surface by monolayer compression and expansion. Displacement current was generated when the area per molecule was about 70a2 and 100a2. Displacement currents were investigated in connection with monolayer of long chain alkylamines. It was found that the maximum of displacement current appeared at the molecular area just before the initial rise of surface pressure in compression cycles of polyamic acid and long chain alkylamines.

매립형 InGaAnP/InP 레이저 다이오드 제작을 위한 질량 이동 현상의 최적화에 대한 연구를 수행하였다. Double heterostructure 레이저 다이오드 구조의 1차 성장은 액상 에피 성장 장치를 이용하였으며, 메사 에칭하였다. 활성층을 [110] 방향으로 선택적으로 에칭 한 후, 액상 에피 성장 장치를 이용하여 질량 이동 현상을 발생시켜 매립형 구조를 형성시켰다. 질량 이동 현상의 임계온도는 40분간 유지시켰을 때 670˚C로 나타났으며 재현성 있게 질량 이동 현상이 발생하였다. 질량 이동 현상에 의해 성장된 층의 폭은 온도증가에 따라 약간 증가하였다.

재충전이 가능한 Li/PEO-LiClO4-PC/LIMn2O4구조의 전고상 전지를 제작하였다. LIMn2O4박막은 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 제작하였으며, 750˚C 부근에서의 급속열처리를 통하여 스피넬 상으로 결정화시킬 수 있었다. 상온 충.방전 시험을 행한 결과, 평균 전압 4V(vs. Li)의 평탄한 방전 전압과 우수한 재충전 능력을 나타내었다.

본 연구에서는 금속 칼날 마스크와 펄스형 레이저 증착장치를 이용하여 YBa2Cu3O7-δ/SrTiO3/YBa2Cu3O7-δ 다층박막 형태의 In-situ SIS ramp dege 형태의 접합을 제작하였으며, 이의 특성을 조사하였다. 접합은 RSJ 형태의 전류-전압 특성ㅇ르 나타내고 있으며, 온도 변화에 따른 접합의 normal resistance는 약 18 Ω으로 온도에 무관하게 일정한 값을 나타내었다. 접합형태를 이용하여 감도(transfer function, dV/dφ)가 약 22μV/φ0인 dc-SQUID센서를 제작하였으며, in-situ SIS ramp edge 형태의 접합이 센서로의 응용가능성을 충분히 가지고 있음을 보여 주었다.

R.F. Magnetron Sputtering 법으로 Co를 base로 MnSbPt 합금박막의 최적 열처리 조건은 300˚C-4시간 이었으나, 종래의 MnSbPt 합금박막의 경우와 같이 수직자화막은 얻을 수 없었다. 보자력은 Co의 두께가 250Å에서 최대를 나타냈으나 약 500 Oe이하로 실용적 측면에서 불충분 하였다. 진공중에서 300˚C 4시간 열처리한 합금박막의 경우, 700nm의 입사파장에서 약 0.78˚에 이르는 Kerr 회전각을 보이므로 고보자력을 지닌 수직자화막을 제조할 수 있다면 우수한 차세대 고밀도 자기 기록매체로서 유망하다.

Thin films of Eu(TTA)3(phen), which was known to show red-light emitting properties, were deposited under various deposition condition. The thickness, surface morphology, and photoluminescence(PL) were measured with α-step profiler, Atomic Force Microscopy(AFM), and PL measurement apparatus. It was found that the thickness of Eu(TTA)3(phen) film can be controlled precisely by adjusting the amounts of Eu(TTA)3(phen) in the boat. As the thickness of these films increases, the surface roughness also increases. A structure of Al/Eu(TTA)3(phen)(850a)/TPD(600a)/ITO was fabricated, Electroluminescence(EL) spectrum of which shows the peak at the wavelength of 618nm.

Mg2SiO4 열형광체에 란탄계 금속 Tb, Tm, La, Ho, Dy 및 Nd를 활성체로 첨가하여 열형광체를 제작했으며, Peak shape법으로 활성화에너지를 계산한 결과 0.53-1.77eV였으며, 발광과정의 차수는 전부 2차였다. 저 에너지 X-선에 대해 매우 높은 감도를 나타내었으므로 방사선 센서 소자로 개발하기 위한 기초 자료가 될 것이다.

열증착법에 의해서 온도 85˚C인 glass기판 위에 CdS 박막을 제작하였다. 두께가 200nm정도로 측정된 CdS박막은 공기 중에서 온도 250˚C-550˚C범위에서 각각 30분간 열처리 되었으며 이들 시료에 대하여 4-point probe, XRD, SEM, UV-Spectrophotometer 및 광발광 측정으로 전기적 광학적 특성을 조사하였다. 이들의 일련의 실험값은 열처리 온도 370˚C 근처에서 구조의 변화를 보여주었는데, 열처리 온도에 대한 비저항아니 XRD, SEM 의 측정은 cubic로부터 hexagonal구조로의 변환을 나타내었다. 특히 상온에서 측정한 광발광에서 green edge emission(GEE)피이크가 2.42eV를 나타내었는데 이 때의 발광 중심은 열처리할 때 생긴 S-vacancy에 보상된 산소로 이루어진 'CdO'의 악셉터준위에 기인하는 것으로 해석되며 그 이온화 에너지는 약 0.16eV이었다.

It is well known that the metallo-phthalocyanine(MPcs) are sensitive to toxic gaseous molecules such as NO2 and also chemically and thermally stable. Therefore, lots of MPcs have been studied for the potential chemical sensor for NO2 gas using quartz crystal microbalance or electrical conductivity. In this study, 2,3,9,10,16,17,23,24-[octa-(dodecyloxy)] copper phthalocyanine and 2,3,9,10,16,17,23,24-[octa-(octyloxy)] copper phthalocyanine were synthesized and their possibility of LB film preparation were tested. It was confirmed by using FT-IR, DSC, NMR, UV-Vis absorption spectroscopy and Elemental Analysis that CuPc derivatives were successfully synthesized. From the π-A characteristics and limiting areas of two CuPc derivatives it was found that the preparation of LB films with these CuPc derivatives is possible.

In this study, MEH-PPV was synthesized and MEH-PPV and its mixtures with PMMA were deposited on substrates with Langmuir-Blodgett(LB) technique and their photoluminescent char acteristics were investigated using UV-Vis absorption spectroscopy, and photoluminescence(PL) measurements. The surface morphology of the LB films of MEH-PPV and its mixture with PMMA were investigated using Atomic Force Microscopy(AFM). Electroluminescent devices using LB films were fabricated with Al and ITO as a top and bottom electrode, respectively, and their I-V characteristics were investigated.

Ultra-thin films of poly[2-[4-(9-(10-phenyl)anthracenyl)phenoxy)hexyloxy]]-1,4-phenylenevinyleylene(PAHPV) were prepare-d on the hydrophilic ITO substrate by Langmuir-Blodgett(LB) technique. λmax in the photoluminescence spectrum of these films was 458nm at the excitation wavelength of 365nm before thermal treatment, which comes from diphenylanthracene side chain of PAHPV. It was also confirmed with UV-Vis spectrometer that ultra-thin LB films of PAHPV precursor polymer were prepared well. After thermal treatment for conjugation of PAHPV precursor polymer, λmax in the photoluminescence spectrum of these films changed to 365nm, which means that the conjugation of these PAHPV films was completed.