TMGa와 유전체 장벽방전에 기초한 질소함유 활성종을 이용하여 (0001) 사파이어 기판위에 GaN 박막을 저온에서 성장시켰다. III-V 질소화합물 반도체의 에피막 성장에 있어서 암모니아는 유기금속 화학증착법에서 지금까지 알려진 가장 보편적인 질소 공급원이며 충분한 질소공급을 위해 1000˚C 이상의 고온 성장이 필수적이다. GaN 박막을 비교적 저온에서 성장시키기 위하여 질소 공급원으로 암모니아 대신 유전체 장벽방전을 이용하였다. 유전체 장벽방전은 전극사이에 유전체 장벽을 설치하여 arc를 조절하는 방전이며 수 기압의 높은 공정압력보다 훨씬 높으므로 기판표면까지 전달하는데도 이점이 있다. GaN 박막의 결정성과 표면형상은 성장온도, 완충층에 따라 변화하였으며, 700˚C의 저온에서도 우수한 (0001) 배향성을 갖는 GaN 박막을 성장할 수 있었다.

Mechanical properties of nanocrystalline Al-5at.%Ti alloy were investigated through high temperature compression test. Al-5at.%Ti nanocrystalline metal powders, which had finer and more equiaxed shape than those produced at room temperature, were produced by mechanical alloying at low temperature. The powders were successfully consolidated to 99fo of theoretical density by vacuum hot pressing. XRD and TEM analysis revealed that intermetallic compounds formed inside powders and pure Al region with coarse grains formed between powders, especially at triple junction. Mechanical properties in terms of hardness and strength were improved by grain size refinement, but ductility decreased presumably due to the formation of the weak interfaces between Al pool and powders.

저온 조건하에서 추파 청예작물의 의한 질산태 질소 흡수 및 이용에 대한 대사기전을 규명하기 위해 호밀과 사초용 유채의 생육온도를 5 ∘ C 및 25 ∘ C 로 처리 후 뿌리를 양분하여 14 N 과 15 N 을 각각 공급하여 15 N 의 식물체내 이동을 추적하였다. 5 ∘ C 에서 9일간 호밀과 유채에 의해 흡수된 질산태 질소의 함량은 25 ∘ C 처리구에 비해 각각 59.3% 및 27.1%가 감소하였다. 25 ∘ C 조건하에서 9일간 호밀 및 유채에 있어 흡수된 질산태 질소의 약 2.5% 및 7.6%가 뿌리로 전이되었고, 5 ∘ C 조건하에서는 뿌리로 전이된 질산태 함량은 각각 3.8% 및 10.9%로 증가하였다. 목부를 통해 잎으로 전이된 질소의 함량은 25 ∘ C 조건하의 호밀 및 유채에서 개체당 각각 55.9 및 54.4 mg N이었으며, 5 ∘ C 에서는 각각 22.1 및 38.8 mg N으로 저온 처리에 의해 목부를 통한 전이된 질소 함량은 각각 60.4% 및 28.8%가 감소되었음을 보여 주었다. 호밀과 유채 공히 체관부를 통해 잎에서 뿌리로 전이된 질소의 함량은 다른 경로를 통한 질소 전이량에 비해 가장 낮았으며, 저온 처리에 따른 전이량의 변화폭 역시 가장 낮았다. 25 ∘ C 조건하에서 호밀 및 유채에 있어 총 흡수된 질소의 2.5% 및 0.5%이었으며, 5 ∘ C 조건하에서 이 비율은 각각 5.2% 및 0.9%로 증가하였다.

벼의 유묘기 저온처리하에 나타나는 chlorosis현상의 유전양식을 규명하기 위하여 실험한 결과를 요약하면 다음과 같다. 벼 21 공시품종 유묘기 저온 ()처리에서 chlorosis가 나타나는 품종은 통일형인 "밀양23호"와 인디카형인 "IR 36", "Dular"로 3품종이었고, 모든 자포니카형 품종에서는 chlorosis가 나타나지 않았다. 저온처리하의 엽록소 함량 감소는 품종군과 재배종간에 다양한 차이를 나타내었다. Dular와 Toyohatamochi가 교배된 집단에서 저온처리에 의해 나타나는 제 3엽의 chlorosis 현상에 대한 분리비는 정상 개체와 chlorosis 개체가 3 : 1의 이론적 분리비 적합하였다. 이결과로 벼의 유묘기 chlorosis의 유전은 단순열성 유전자에 의해 지배 되는 것으로 분석되었다.

A pulse-chase labeling of on winter rye (Scale cereale) and forage rape (Brassica napus) grown at and was carried out to determine the effects of low temperature on the uptake exogenous N and the remobilization of endogenous N. The growth rate of leave

The experiments were undertaken to investigate the dynamics of uptake at low temperature with forage rape(Bmssica napus), barle(Hordeum vulgare) and winter rye (Scale cereale). A net uptake and the contents of nitrogenous compound in tissues at low tempe

냉축열 잠열재로 Na2SO4.10H2O를 선정하여 냉축열을 위한 잠열축열 온도 수준을 NH4Cl과 KCI을 잠열온도 조절제로 활용하여 16℃에서 -0.3℃까지 조절하였으며, 상변화 사이클에 의한 열특성 변화 추이와 물성의 안정성을 실험 분석하여 다음과 같은 결과를 얻을 수 있었다. 1. 냉축열재로 선택한 Na2SO4.10H2O는 물성이 불안정한 상변화 잠열 재였으나, 조핵제로 BRX를, 증점제로 CBP를 첨가하여 물성을 안정시켰으며, NH4Cl과 KCl을 상변화 온도조절제로 선택하여 상변화 온도를 조절할 수 있다. 2. SSD＋NH4Cl서 NH4Cl을 g~21wt%로 증가시킴에 따라 상변화 온도는 16~-0.3℃로 조절할 수 있었으며, 잠열축열량은 30kca1/kg에서 23.4kca1/kg으로 감소하였고, 상변화 온도조절제, KCl을 l7wt%에서 25wt%로 증가시킴에 따라 상변화 온도를 14℃에서 4℃까지 조절할 수 있었다.

비정질 실리콘 박막 위에 구리용액을 스콘코팅하여 구리이온을 흡착시킨 후 이를 표면 핵생성 site로 이용하는 새로운 저온 결정화 방법에 관하여 연구하였다. 구리 흡착으로 LPCVD비정질 실리콘 박막의 결정화온도를 500˚C까지 낮출 수 있었고 결정화시간도 크게 단축되었다. 530-600˚C에서 어닐링시 구리가 흡착된 비정질 실리콘 막은 나뭇가지 형태의 fractal을 이루며 결정화되었다. 이때 fractal크기는 구리용액의 농도에 따라 30-300μm로 성장하였다. Fractal의 내부는 새 털 모양의 타원형 결정립으로 구성되어 있으며 TEM 에 의한 최종 결정립의 크기는 0.3-0.4μm로 intrinsic 비정질 실리콘 박막을 600˚C에서 어닐링하였을 때화 크기가 비슷하였다. 구리용액의 농도 증가에 따라 핵생성 활성화 에너지와 결정성장 활성화 에너지가 감소하였다. 결과적으로 구리 흡착이 표면에서 우선 핵생성 site를 증가시키고 핵생성 및 fractal 성장에 필요한 활성화 에너지를 모두 낮추어 저온에서도 결정화가 촉진되었음을 알 수 있었다.

본 연구에서는 resorcinol과 formaldehyde를 이요하여 수상에서 축중합시켜 겔을 만든 후 저온 초임계 건조 공정을 이용하여 겔 구조의 변형없이 용매를 제거하여 내무 표면적과 같은 에어로겔의 최종 물성에 미치는 영향을 알아보기 위하여 고형분의 농도(2-5%)를 변화시켜 실험한 결과 초기 반응조건이 반응시간 및 최종물성에 변수가 됨을 알 수 있었다. 또한 제조된 에어로겔에 100-300˚C까지 온도를 가하며 표면 특성을 분석한 결과 열을 가함에 따라 기공의 크기가 커지고 표면적이 감소됨을 관찰할 수 있었다.

비정질 실리콘의 표면에 Ni과 Pd를 형성하여 측면으로의 결정화 속도를 향상시켰다. Ni에 의해 비정질 실리콘이 측면으로 결정화될 때 그 성장 속도는 500˚C에서 3wμm/hour였으며 이때의 활성화 에너지는 2.87eV로 나타났다. Pd의 경우는 Pd2Si의 형성에 의해 압축 응력이 유발되어 Pdrks의 간격이 좁을수록 측면으로의 결정화 속도가 증가하였다. Ni과 Pd을 각각 다른 부분에 증착시키고 결정화시키면 Ni에 의해 측면으로 결정화되는 속도가 Ni만으로 결정화시킬 때 보다 약 2배 이상의 측면결정화 속도를 보였다.

동과 동을 저온에서 단시간내에 접합시키는 가능성을 검토하기 위해서 직류 자기 스퍼터링을 이용한 코팅한 주석 및 주석-잡 합금층을 중간층으로 사용하였다. 접합은 대기중 200-350˚C의 온도에서 수행되었고 접합온도에 도달직후 바로 냉각하였다. 접합 계면에는 액상의 주석과 고상의 동간의 반응에 의해 n-상(Cu6Sn5) 및 ε-상(Cu3Sn)으로 구성된 금속간화함물 층이 형성되었다. 전단강도로 측정된 접합강도는 접합온도에 따라 비례적으로 증가하지만 300˚C 이상에서 감소하였다. 접합강도는 2.8-6.2MPa 범위로 나타났으며, 중간층합금 성분에 따른 접합계면에서의 금속간화합물의 생성거동과 관련지어 설명되었다. 실험결과 실용적인 접합법으로서 저온 단시간 접합의 가능성이 확인되었다.

다공질 실리콘층(Porous Silicon LayerLPSL)을 사용하여 저온 열산화 (500˚C, 1시간)와 급속 열산화공정(rapid thermal oxidationLRTO)(1150˚C, 1분)을 통하여 저온 산화막을 제조하였다. 제조된 산화막의 특성을 IR흡수 스펙트럼, C-V 곡선, 절연파괴전압, 누설전류, 그리고 굴절률을 조사함으로써 알아보았다. 절연파괴전압은 2.7MV/cm, 누설전류는 0-50V 범위에서 100-500pA의 값을 보였다. 산화막의 굴절률은 1.49의 값으로서 열산화막의 굴절률에 근접한 값을 나타냈다. 이 결과로부터 다공질 실리콘층을 저온산화막으로 제조할 때, RTO공정이 산화막의 치밀화(densification)에 크게 기여함을 알 수 있었다.

세가지 다른 방법을 이용하여 형성시킨 비정질 실리콘(SiH4 a-Si, Si2H6 a-Si, Si+ implanted SiH4 a-Si)들에 대한 저온 결정화 기구의 차이를 고전적 이론인 Avrami 식(X=1-exptn, X=결정화 분율, t=열처리 시간, n=지수)을 이용하여 검토하였다. Silane으로 형성된 비정질 실리콘의 결정화 과정에서는 Avrami 식에서의 n의 값이 2.0을 나타내고 있어, 결정성장이 이차원적으로 이루어지면서 핵생성률이 시간에 따라 감소하고 있음을 알 수가 있었다. Si+ 이온 주입에 의하여 형성된 비정질 실리콘의 결정화에서는 3.0의 지수 값이 얻어지고 있어, 정상상태의 핵생성과 함께 2차원적인 결정 성장이 이루어지고 있었다. Disilane으로 형성된 비정질 실리콘에 대한 결정화에서는 2.8의 지수값이 얻어져, 정상상태의 핵 생성이 우세하게 일어나는 2차원적인 결정성장이 일어나고 있음을 알 수 있었다. 또한 TEM을 이용하여 시간에 따라 변하는 핵생성률을 조사하여, Avrami 식의 적용이 타당성 있음을 증명하였다. 마지막으로, 최종 입자의 크기가 열처리 온도에 크게 영향을 받고 있지 않음을 확인하였다.