느타리버섯은 우리나라 국민에 기호성이 매우 높으며, 가장 많이 생산 소비되는 대표적인 버섯이다. 소비적 측면에서의 영양학적 가치 증진과 생리대사적인 측면에서의 흡수기작에 대한 특성을 확인하기위하여 배지내 당첨가에 따른 자실체의 당성분 변화를 조사하였다. 느타리버섯 톱밥 배지에 4종의 당을 첨가한 배지에 수한1호, 여름느타리, 춘추2호를 재배하여 자실체를 분석한 결과 단당류로는 Fructose, Glucose, Ribose, Xylose, 이당류는 α-Lactose, Tre-halose, 당알콜류는 Glycerol, Mannitol, myo-Inositol, Sorbitol의 성분이 검출 되었다. 모든 처리에서 발견되는 성분으로는 Trehalose, Mannitol, α-Lactose, Fructose, Glucose, Ribose, myo-Inositol 등이며, 나머지 성분은 일부 처리에서만 발견되고, 많은 함량의 순서는 품종에 따라 약간 차이가 있었다. 자실체 내의 단당류는 함량 자체가 낮고, 공시품종 중에서 수한1호가 다른 품종에 비하여 약간 높았다. 처리된 당종류 및 처리함량의 증가에 따라 자실체의 성분함량이 뚜렷이 증감되는 경향은 확인되지 않았다. 배지에 처리된 성분중 Lactose는 처리량의 증가에 따라 모든 품종에서 뚜렷이 증가하였으며, 자실체의 Trehalose 함량은 품종에 따라 차이를 나타내었으나, 배지의 첨가량에 따른 영향은 보이지 않았다. 자실체 내의 당알코홀류는 수한과 춘추2호에서는 높은 편이나 여름느타리버섯에서는 낮아 품종간 차이가 있었다. 자실체의 Mannitol 함량은 배지의 당첨가량에 따른 일정한 경향은 없었으며, myo-Inositol은 수한과 춘추2호에서 처리량에 따라 서서히 증가하는 경향을 보였으나 여름느타리에서는 일정한 경향을 확인 할 수 없었다. 배지에 처리한 당류중에 처리량 증가에 따라 자실체의 함량이 품종에 관계없이 증가하는 것은 α-Lactose 뿐이었으며, 자실체에서 발견되는 성분들은 배지성분의 흡수보다는 자실체 내의 대사기작 내에서 합성 또는 전환되는 것으로 추정되며, 앞으로 더 관련 연구가 필요할 것으로 사료된다.

In crystalline solar cells, the substrate itself constitutes a large portion of the fabrication cost as it is derived fromsemiconductor ingots grown in costly high temperature processes. Thinner wafer substrates allow some cost saving as morewafers can be sliced from a given ingot, although technological limitations in slicing or sawing of wafers off an ingot, as wellas the physical strength of the sliced wafers, put a lower limit on the substrate thickness. Complementary to these economicaland techno-physical points of view, a device operation point of view of the substrate thickness would be useful. With this inmind, BC-BJ Si and GaAs solar cells are compared one to one by means of the Medici device simulation, with a particularemphasis on the substrate thickness. Under ideal conditions of 0.6µm photons entering the 10µm-wide BC-BJ solar cells atthe normal incident angle (θ=90o), GaAs is about 2.3 times more efficient than Si in terms of peak cell power output:42.3mW·cm−2 vs. 18.2mW·cm−2. This strong performance of GaAs, though only under ideal conditions, gives a strongindication that this material could stand competitively against Si, despite its known high material and process costs. Within thelimitation of the minority carrier recombination lifetime value of 5×10−5 sec used in the device simulation, the solar cell poweris known to be only weakly dependent on the substrate thickness, particularly under about 100µm, for both Si and GaAs.Though the optimum substrate thickness is about 100µm or less, the reduction in the power output is less than 10% from thepeak values even when the substrate thickness is increased to 190µm. Thus, for crystalline Si and GaAs with a relatively longrecombination lifetime, extra efforts to be spent on thinning the substrate should be weighed against the expected actual gainin the solar cell output power.

목적: Al2O3 기판위에 Ge/ZnS 다층박막을 이용하여 중심파장 3450nm에서 반치폭이 약 150nm이고 투과율이 약 95%인 중 적외선 투과필터를 제작하고, 이 필터의 박막 특성을 연구하였다. 방법: 설계에 있어 기판의 한 면은 장파장 투과 필터로,다른 면은 단파장 투과 필터로 코팅한 후 한개의 기판을 중심으로 전면에는 장파장 투과 필터를 후면에는 단파장 투과 필터를 합성하여 중적외선 대역투과 필터를 설계하였다.또한 전자빔 증착장비를 이용하여Ge/ZnS 다층박막 중적외선 대역 투과 필터를 제작한 후, FTIR을 이용하여 투과율을 측정하였고, XRD 데이타로부터 박막의 구조를 분석하였으며, XPS분석으로부터 박막 성분을 확인하였다. 결과: 장파장 투과 필터는 기준파장 2700nm에서 [air/0.490H 0.904L 0.952H 1.086L 1.747H 0.489L (HL)9 H 0.350L 1.616H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 이때 고굴절률(H)과 저굴절률(L) 물질은 각각 Ge과 ZnS이였다. 또한 단파장 투과필터는 기준파장 4200nm에서 [air/1.261H (LH)7 0.921L 1.306H/Al2O3 substrate]와 같이 설계되었으며, 고굴절률 물질과 저굴절률 물질은 장파장 투과필터와 동일하였다. 설계를 바탕으로 제작한 적외선 투과 필터의 최대파장피크가 제작조건의 변화에 의거하여 이론치에 비해 약 30nm 오른쪽 이동되어 있는 것을 확인하였다. 제작된 필터의 ZnS층이 cubic (111) 결정구조를 가지고 있는 것을 XRD분석으로 확인하였으며, XPS분석에 의해 Ge층이 맨 위층이며 ZnS층과 교번인 다층막으로 형성돼 있다는 것을 확인할 수 있었다. 결론: Al2O3 기판위에 Ge와 ZnS를 교번으로, 한 면은 27층의 장파장 투과필터로 구성되고, 다른 면은 17층의 단파장 투과 필터의 다층박막을 제작하여, 3450nm 중심파장에서 150nm 반치폭을 갖으며 투과율은 약 95%인 중적외선 대역 투과 필터를 제작하였다.

TiO2 thin films for high energy density capacitors were prepared by r.f. magnetron sputtering at room temperature.Flexible PET (Polyethylene terephtalate) substrate was used to maintain the structure of the commercial film capacitors. Theeffects of deposition pressure on the crystallization and electrical properties of TiO2 films were investigated. The crystal structureof TiO2 films deposited on PET substrate at room temperature was unrelated to deposition pressure and showed an amorphousstructure unlike that of films on Si substrate. The grain size and surface roughness of films decreased with increasing depositionpressure due to the difference of mean free path. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis revealed the formation ofchemically stable TiO2 films. The dielectric constant of TiO2 films was significantly changed with deposition pressure. TiO2films deposited at low pressure showed high dissipation factor due to the surface microstructure. The dielectric constant anddissipation factor of films deposited at 70mTorr were found to be 100~120 and 0.83 at 1kHz, respectively. The temperaturedependence of the capacitance of TiO2 films showed the properties of class I ceramic capacitors. TiO2 films deposited at10~30mTorr showed dielectric breakdown at applied voltage of 7V. However, the films of 500~300nm thickness depositedat 50 and 70mTorr showed a leakage current of ~10−8~10−9 A at 100 V.

유기 박막 트랜지스터 (organic thin-film transistors; OTFTs)는 유기 반도체 그리고 디스플레이와 같은 분야에 그들의 잠재적인 응용 가능성 때문에 많은 주목을 받고 있다. 하지만 급격한 산화 혹은 낮은 전기 이동도와 같은 단점으로 인하여 n-형 물질은 p-형 물질에 비해서 상대적으로 많은 연구가 진행되지 못한 실정이다. 따라서 본 논문에서는 n-형 반도체 물질인 [6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylester (PCBM)과 Poly(4-vinylphenol) (PVP)을 유기 절연막으로 이용하여 o-dichlorobenzene, toluene and chloroform과 같은 다양한 유기 용매를 사용한 플라스틱 기판에 유기트랜지스터를 제작하였고 유기 용매가 ODCB 경우 전계 효과 이동도는 약 0.034 cm2/Vs 그리고 점멸비(on/off ratio)는 ~1.3×105 으로 향상 되었다. 다양한 유기 용매의 휘발성에 따라서 PCBM TFT의 전기적 특성에 미치는 영향을 규명하였다.

Well-aligned multi-walled carbon nanotubes (MWCNTs) were successfully synthesized by catalytic chemical vapor deposition using a hydrogen sulfide (H2S) additive onto Al/Fe thin film deposited on Si wafers. Transmission electron microscopy images indicated that the as-grown carbon products were thin MWCNTs with small outer diameters of less than 10 nm. H2S plays a key role in synthesizing thin MWCNTs with a large inside hollow core. The well-aligned thin MWCNTs showed a low turn-on voltage of about 1.1 V/μm at a current density of 0.1 μA/cm2 and a high emission current of about 1.0 mA/cm2 at a bias field of 2.3 V/μm. We suggest a possible growth mechanism for the well-aligned thin MWCNTs with a large inside hollow core.

느타리버섯 수확후 배지의 가축사료화가 가능하도록 주재료로 콘코브를 사용하여 적합한 영양원을 선발하고자 하였다. 시험에 사용된 영양원 가운데 질소함량은 채종박(7.6%)>케이폭박(6.4%)>밀기울(2.7%)순이고, 조지방함량은 밀기울(2.7%)>케이폭박(2.4%)>채종박(1.3%)>면실박(0.8%)로 나타났다. 영양원별 혼합배지의 이화학적 특성결과 C/N율은 18~20, 용적밀도 0.27~0.28g/cm3, 공극률 73.1~74.8로 처리간의 차이가 없었으며, 병당 수량은 케이폭박 첨가구(케이폭박 단용, 면실박+케이폭박(1:1) 혼용, 케이폭박+밀기울(1:1) 혼용)가 153~158g으로 대조구(면실박, 150g)와 차이가 없는 것으로 나타났고, 그러나 채종유박은 초발이 소요일수도 1일 늦고 수량도 상대적으로 낮은 것으로 나타났다. 케이폭박 처리구의 수확후 배지의 사료적 가치를 분석결과 58.3%로 면실박보다 높은것으로 나타났다.

면실박을 대체하기 위하여 국내에서 유기성 폐자원으로 생산되는 홍삼박의 첨가량을 구명하기위하여 실험을 실시하였다. 홍삼박의 총 탄소함량은 45%, 총 질소함량은 2.7%이었으며, C/N율은 16.7이었다. 혼합배지의 이화학성 중 pH는 4.6∼4.9이였으며, 총 질소함량은 2.5∼2.8로 처리간에 뚜렷한 차이가 없었다. 홍삼박 첨가량에 따라 인산(P2O5), 칼륨(K2O), 마그네슘(MgO)함량은 감소하였으나, 홍삼박만 20% 첨가시에는 오히려 증가하였다. 그러나 칼슘(CaO)함량은 홍삼박 첨가량에 따라 증가하였으나. 나트륨(Na2O)의 함량은 거의 변화가 없었다. 느타리버섯 균사 생육은 홍삼박의 첨가량이 증가할수록 균사생장 속도는 늦었으며, 자실체 수량은 면실박의 50%까지 첨가하여도 대조구와 뚜렷한 차이가 없었지만, 면실박 대신 홍삼박만 20%첨가시에는 수량이 급격하게 줄어들었다. 자실체 갓직경은 처리간에 뚜렷한 차이가 없었고, 대의 굵기는 홍삼박처리에서 조금 높았으나 길이에는 차이가 없었다. 수확기 갓의 색도를 측정한 결과 L값은 홍삼박첨가량에 따라 감소하였지만 a, b값은 처리간에 뚜렷한 차이가 없었다.

Ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs) were grown on a patterned n-type GaN substrate (PNS) with 200 nm silicon-di-oxide (SiO2) nano pattern diameter to improve the light output efficiency of the diodes. Wet etched self assembled indium tin oxide (ITO) nano clusters serve as a dry etching mask for converting the SiO2 layer grown on the n-GaN template into SiO2 nano patterns by inductively coupled plasma etching. PNS is obtained by n-GaN regrowth on the SiO2 nano patterns and UV-LEDs were fabricated using PNS as a template. Two UV-LEDs, a reference LED without PNS and a 200 nm PNS UV-LEDs were fabricated. Scanning Electron microscopy (SEM), Transmission Electron Microscopy (TEM), X-Ray Diffraction (XRD), Photoluminescence (PL) and Light output intensity- Input current- Voltage (L-I-V) characteristics were used to evaluate the ITO-SiO2 nanopattern surface morphology, threading dislocation propagation, PNS crystalline property, PNS optical property and UVLED device performance respectively. The light out put intensity was enhanced by 1.6times@100mA for the LED grown on PNS compared to the reference LED with out PNS.

Multi-source evaporation is one of the methods to improve the thickness uniformity of thin films deposited by evaporation. In this study, a simulator for the relative thickness profile of a thin film deposited by a multi-source evaporation system was developed. Using this simulator, the relative thickness profiles of the evaporated thin films were simulated under various conditions, such as the number and arrangements of sources and source-to-substrate distance. The optimum conditions, in which the thickness uniformity is minimized, and the corresponding efficiency, were obtained. The substrate was a 5th generation substrate (dimensions of 1300 mm × 1100 mm). The number of sources and source-to-substrate distance were varied from 1 to 6 and 0 to the length of the major axis of the substrate (1300 mm), respectively. When the source plane, the area on which sources can be located, is limited to the substrate dimension, the minimum thickness uniformity, obtained when the number of sources is 6, was 3.3%; the corresponding efficiency was 16.6%. When the dimension of the source plane is enlarged two times, the thickness uniformity is remarkably improved while the efficiency is decreased. The minimum thickness uniformity, obtained when the number of sources is 6, was 0.5%; the corresponding efficiency was decreased to 9.1%. The expansion of the source plane brings about not only the improvement of the thickness uniformity, but also a decrement of the efficiency and an enlargement of equipment.

The waste substrate from sawdust based cultivation of Heicium erinaceum was reused. This process was conducted three times. Even when the waste substrate was reused at three times, the yield of fruiting bodies was equal to that of fresh medium. However, the yield of the 1st-waste substrate was the best of all waste substrate media and the yields of waste substrate media deceased with recycling times. The yield of the 1st or the 2nd waste substrate medium increased by 1.3-1.4 times compared with that of the fresh medium. The content of low molecular α-glucan and β-glucan of the 1st or the 2nd waste substrate medium increased and C-N ratio of the 1st or the 2nd waste substrate medium decreased. These results suggest that low molecular glucan and N sources contribute to increasing fruiting bodies. It was clear that the 1st and the 2nd waste substrate were useful for the cultivation material of Heicium erinaceum.

기존의 타이머제어법과 일사량제어법 (ISR), 수분장력이나 수분함량센서를 사용하는 방법이 아닌 새로 운 저가 정밀 급액관리법을 개발하고자 수행하였다. 본 논문은 배액전극제어법 (집액용기 안의 배액 높이 에 따라 설정된 센서에 의해 급액)의 급액제어 기술을 개발하여 경제성과 환경문제를 고려할 수 있는 효 율적인 급액관리 시작기를 개발하고자 하였다. 제작된 고형배지경 급액관리기 시작기의 특징은 재배틀과 수위센서 및 간단한 제어반에 의해 구성되어지며 암면, 펄라이트, 피트, 코이어 등 모든 고형배지경 수경 재배에 적용할 수 있다. 장점은 저렴하고 제어원리가 간단하며 식물체와 직접적으로 연계되어 있어서 배 지의 수분관리에 최적이며 유지보수가 용이하다는 점이다. 기계의 구성은 센서가 총 4개이며 4군데의 서 로 다른 구역을 정하여 급액 제어할 수 있다. 센서의 형태는 2접점의 간단한 수위센서 이며 외부 배액수 위에 의한 On/Off 접점식이다. 급액단계를 3단계로 나누어 급액시간과 량을 조정할 수 있다.

This study shows the effects of deionized (DI) rinse and oxide HF wet etch processes on silicon substrate during a photolithography process. We found a fail at the wafer center after DI rinse step, called Si pits, during the fabrication of a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) device. We tried to find out the mechanism of the Si pits by using the silicon wafer on CMOS fabrication and analyzing the effects of the friction charge induced by the DI rinsing. The key parameters of this experiment were revolution per minute (rpm) and time. An incubation time of above 10 sec was observed for the formation of Si pits and the rinsing time was more effective than rpm on the formation of the Si pits. The formation mechanism of the Si pits and optimized rinsing process parameters were investigated by measuring the charging level using a plasma density monitor. The DI rinse could affect the oxide substrate by a friction charging phenomenon on the photolithography process. Si pits were found to be formed on the micro structural defective site on the Si substrate under acceleration by developed and accumulated charges during DI rinsing. The optimum process conditions of DI rinse time and rpm could be established through a systematic study of various rinsing conditions.

One of the weak points of the Cr-doped SZO is that until now, it has only been fabricated on perovskite substrates, whereas NiO-ReRAM devices have already been deposited on Si substrates. The fabrication of RAM devices on Si substrates is important for commercialization because conventional electronics are based mainly on silicon materials. Cr-doped ReRAM will find a wide range of applications in embedded systems or conventional memory device manufacturing processes if it can be fabricated on Si substrates. For application of the commercial memory device, Cr-doped SrZrO3 perovskite thin films were deposited on a SrRuO3 bottom electrode/Si(100)substrate using pulsed laser deposition. XRD peaks corresponding to the (112), (004) and (132) planes of both the SZO and SRO were observed with the highest intensity along the (112) direction. The positions of the SZO grains matched those of the SRO grains. A well-controlled interface between the SrZrO3:Cr perovskite and the SrRuO3 bottom electrode were fabricated, so that good resistive switching behavior was observed with an on/off ratio higher than 102. A pulse test showed the switching behavior of the Pt/SrZrO3:Cr/SrRuO3 device under a pulse of 10 kHz for 104 cycles. The resistive switching memory devices made of the Cr-doped SrZrO3 thin films deposited on Si substrates are expected to be more compatible with conventional Si-based electronics.

Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used for optoelectronic applications. Among TCO materials,zinc oxide (ZnO) has been studied extensively for its high optical transmission and electrical conduction. In this study, the effectsof O2 plasma pretreatment on the properties of Ga-doped ZnO films (GZO) on polyethylene naphthalate (PEN) substrate werestudied. The O2 plasma pretreatment process was used instead of conventional oxide buffer layers. The O2 plasma treatmentprocess has several merits compared with the oxide buffer layer treatment, especially on a mass production scale. In this process,an additional sputtering system for oxide composition is not needed and the plasma treatment process is easily adopted as anin-line process. GZO films were fabricated by RF magnetron sputtering process. To improve surface energy and adhesionbetween the PEN substrate and the GZO film, the O2 plasma pre-treatment process was used prior to GZO sputtering. As theRF power and the treatment time increased, the contact angle decreased and the RMS surface roughness increased significantly.It is believed that the surface energy and adhesive force of the polymer surfaces increased with the O2 plasma treatment andthat the crystallinity and grain size of the GZO films increased. When the RF power was 100W and the treatment time was120 sec in the O2 plasma pretreatment process, the resistivity of the GZO films on the PEN substrate was 1.05×10-3Ω-cm,which is an appropriate range for most optoelectronic applications.

본 연구는 장미 순환식 수경재배 시 재배시기별로 적합한 배양액을 개발하고자 일본야채다업시험장 표준액을 1/4S, 1/2S, 2/3S, 1S로 하여 펄라이트와 입상 암면을 4:6 부피비로 섞은 고형배지를 이용하여 실험을 실시하였다. 고온기재배의 경우 1/2S 처리구에서, 저온기의 경우 2/3S 처리구에서 광합성 속도, 절화 품질 및 생육이 우수하였다. 이를 토대로 1/2S(고온기), 2/3S(저온기) 처리구의 양수분 흡수율을 기준으로 새로운 배양액을 조성하였다. 이온의 조성은 고온기의 경우 NO3-N 6.8, NH4-N 0.7, PO4-P 2.0, K 3.8, Ca 3.0, Mg 1.2, SO4-S 1.2me·L-1, 저온기의 경우 NO3-N 6.8, NH4-N 0.7, PO4-P 2.0, K 3.8, Ca 3.0, Mg 1.2, SO4-S 1.2me·L-1 이었다. 개발한 배양액의 적합성 평가실험 결과 UOS 배양액은 Ca, P 등의 이온이 장미의 양분흡수율보다 많이 함유된 기존의 배양액과 비교하여 근권 내 EC 변화가 안정적이었다. 또한 절화수량이 재배기간에 관계없이 기존 배양액보다 높은 결과를 나타내었고 특히 저온기 재배시 아이찌현 배양액 처리구에 비하여 수확량이 140% 증가하였다. 따라서 고형배지를 이용한 장미 순환식 수경재배시 새로 개발된 배양액을 사용할 경우 기존 배양액에 비해 비료절감의 효과와 함께 안정적인 생육 및 수량증대를 기대할 수 있다.

잿빛만가닥버섯의 인공재배법을 개발하고자 국내·외에서 수집한 균주의 균사배양 특성을 검정하고 자실체 발생을 위한 다양한 재배방법을 구명하였다. 잿빛만가닥버섯 9균주를 공시하여 선발한 결과는 다음과 같다. 균사생장속도가 빠르고 균사밀도가 양호한 SPA 202 및 SPA 205균주를 선발하였으며 선발배지는 BC배지가 가장 양호하였다. 인공재배시 참나무톱밥과 포플러톱밥이 균사생장속도가 가장 빠르고 균사밀도가 가장 치밀하였으며 최적배지는 발효톱밥을 사용한 참나무톱밥(Quercus aliena )40%+포플러톱밥(Populus deltoides )40%+미강(Rice bran)10 %+밀기울(Wheat bran)10% 배지로서 이 때균사배양적온은 20-25℃이며 배양기간은 접종 후 50일, 복토 후 7일이 소요되었으며, 원기형성 및 자실체생육기간은 17-18℃에서 각각 10~11일, 7~8일이 소요되었다. SPA 202균주의 수확적기의 자실체는 갓의 직경이 60㎜, 대의 길이가 67㎜이며, 수량은1,100㎖병당 130g이었으며 SPA 205균주의 수확적기의 자실체는 갓의 직경이 51㎜, 대의 길이가 81㎜, 129g이었다. 잿빛만가닥버섯 인공재배 결과, 배지는 발효톱밥 처리구가 미발효톱밥 처리구보다 수량이 많아 SPA 202균주와 SPA 205균주가 가장 양호한 균주로 선발되었다.

Embedding of active devices in a printed circuit board has increasingly been adopted as a future electronic technology due to its promotion of high density, high speed and high performance. One responsible technology is to embedded active device into a dielectric substrate with a build-up process, for example a chipin-substrate (CiS) structure. In this study, desmear treatment was performed before Cu metallization on an FR-4 surface in order to improve interfacial adhesion between electroless-plated Cu and FR-4 substrate in Cu via structures in CiS systems. Surface analyses using atomic force microscopy and x-ray photoemission spectroscopy were systematically performed to understand the fundamental adhesion mechanism; results were correlated with peel strength measured by a 90o peel test. Interfacial bonding mechanism between electrolessplated Cu and FR-4 substrate seems to be dominated by a chemical bonding effect resulting from the selective activation of chemical bonding between carbon and oxygen through a rearrangement of C-C bonding rather than from a mechanical interlocking effect. In fact, desmear wet treatment could result in extensive degradation of FR-4 cohesive strength when compared to dry surface-treated Cu/FR-4 structures.

Graphene has been effectively synthesized on Ni/SiO2/Si substrates with CH4 (1 SCCM) diluted in Ar/H2(10%) (99 SCCM) by using an inductively-coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition. Graphene was formed on the entire surface of the 500 nm thick Ni substrate even at 700 ˚C, although CH4 and Ar/H2 gas were supplied under plasma of 600 W for 1 second. The Raman spectrum showed typical graphene features with D, G, and 2D peaks at 1356, 1584, and 2710 cm-1, respectively. With increase of growth temperature to 900 ˚C, the ratios of the D band intensity to the G band intensity and the 2D band intensity to the G band intensity were increased and decreased, respectively. The results were strongly correlated to a rougher and coarser Ni surface due to the enhanced recrystallization process at higher temperatures. In contrast, highquality graphene was synthesized at 1000 ˚C on smooth and large Ni grains, which were formed by decreasing Ni deposition thickness to 300 nm.